تحقیق در مورد دینامیک دیود قطع

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

دسته بندی : وورد

نوع فایل :  .doc ( قابل ویرایش و آماده پرینت )

تعداد صفحه : 45 صفحه

 قسمتی از متن .doc : 

دینامیک دیود قطع:

با فرض اینکه یک دیود در بایاس مستقیم قرار دارد می خواهیم با بایاس معکوس آن را خاموش کنیم انتظار داریم که بلافاصله جریان دیود صفر شود در دیودهای با آمپر پائین این مسئله شاید اتفاق بیافتد امّا در دیودهای با آمپر بالا بدلیل بالا بودن حاملهای اکثریت و بالا بودن بار ذخیره شده، این پدیده به سادگی اتفاق نمی افتد. همان گونه که در شکل (1 ) مشاهده می کنیم حتّی در جهت منفی نیزدر لحظه کوتاهی جریان داریم،به زمان مورد نظر trr گفته می شود زمان بازسازی در سرعت سوئیچینگ دیودها اثر دارد .

انواع دیودهای قدرت:

دیودهای قدرت بسته به جریان عبوری ولتاژ معکوس،سرعت قطع و وصل سوئیچینگ به 3 دسته تقسیممی شوند 1 دیودهای استاندارد یا همه کاره. این دیودها زمان بازسازی -25msجریان 1 تا چند هزار آمپر. ولتاژ معکوس تا 5kv کیلو ولت ساخته می شوند.

این دیودها برای کاربردهای تا 1khz مورد استفاده قرار می گیرند.

دیودهای با بازسازی سریع:

این دیودها دارای زمان بازسازی در حدود 5ms جریان تا 100aولتاژ معکوس تا 3kv برای کار در مدارات چا پری واینورتری ساخته می شوند.

دیودهای شاتکی:

این دیودها دارای زمان بازسازی در حدود نانوثانیه می باشند. مثلا در حدود 230 نانوثانیه تا جریان 100a ،ولتاژ معکوس 100v و برای کار در منابع تغذیه با جریان کم ساخته شده است.

پارامترهای اجرایی دیودها:

عبارتنداز کمیت هایی که در برگه اطلاعات دیودها داده می شود و همان پارامترهای اجرائی دیودهای معمولی می باشد با این تفاوت که مقاومت حرارتی (jc) اتصال بدنه داده شده است .

دیودهای موازی :

در کاربردهای قدرت مقرون به صرفه است که به جای یک دیود آمپربالا چند دیود را با هم موازی کنیم . در موازی کردن دیودها باید دقت کرد که تقسیم جریان بین دیودها مساوی اتفاق بیافتد .بدین منظور از ساختاری مانند شکل (2) استفاده می کنیم .

ترانزیستورهای قدرت :

منظور از ترانزیستور و قدرت ،تقویت کنندگی دامنه شکل موج ورودی نیست بلکه در این حالت منظور ترانزیستورهایی است که جریان زیاد را قطع و وصل می کنند .

انواع ترانزیستورهای قدرت :

mosigt - mosfet - bjt

مزیت مهم ترانزیستورها سرعت سوئیچینگ بالای آنهاست بنابراین کابردهای زیادی در مدارهای کونورتوری دارند .از طرفی نیاز به مدارات جانبی کوموتاسیون اجباری ندارند به هر حال با کنترل کمیت های بیس و یا گیت می توان المان را خاموش و یا روشن کرد .

ترانزیستورbjt قدرت:

همان گونه که می دانید هر ترانزیستور بی جی تی یک کلید کنترل شده با جریان است .برای این ترانزیستور می توانیم یک منحنی مشخصه خروجی داشته باشیم مانند شکل (3) .این منحنی مشخصه دارای 3 ناحیه است .ناحیه قطع – ناحیه اشباع – ناحیه فعال

برای تقویت کنندگی نقطه کار را در ناحیه فعال قرار می دهیم و برای سوئیچینگ و کلید زنی نقطه کار را در ناحیه قطع و اشباع می باشد .

ناحیه عملکرد مطمئن مستقیم یا rbsoa :

مقداری از ولتاژ کلکتور امیتر و ic می باشند که به ترانزیستور اجازه نمی دهند با پدیده مخرب شکست ثانویه یا sb بسوزد .

پدیده sb چیست:

از آنجایی که در ترانزیستورهای قدرت جریان بیس مقدار بسیار زیادی است در حد آمپر ، بنابراین در ابتدای روشن شدن این جریان زیاد در نقطه کوچکی از پیوند بیس امیتر می تواند حرارت زیادی را تولید کند . این حرارت زیاد موجبات نقطه سوز شدن و از بین رفتن ترانزیستور خواهد شد.

منطقه کار ایمن بایاس معکوس :

در مدت قطع شدن ترانزیستور باید جریان و ولتاژ زیادی را تحمل کند ولتاژ بیس امیتر در بایاس معکوس ، ولتاژ کلکتور امیتر در یک سطح ایمن .این ناحیه را و این مقادیر حدی را سازندگان اعلام میکنند که به ناحیه fbsoa مشهور است

سوئیچینگ ترانزیستور:

بایاس ترانزیستور برای سوئیچینگ به صورت مستقیم بایاس می شود مقاومت های rc&rb ترانزیستور را در ناحیه fbsoa&rbsoa قرار می دهد مانند شکل (4) که این نواحی جزء منطقه قطع و اشباع منحنی مشخصه میباشند .میدانیم که یک ترانزیستور دارای سه منطقه کار میباشد .منطقه قطع که هر دو پیوند معکوس میباشند.منطقه اکتیو که یک پیوند در بایاس مستقیم و پیوند دیگر در بایاس معکوس است .در این حالت ترانزیستور به صورت یک تقوت کننده عمل میکند .در منطقه اشباع جریان بیس را به حد کافی بزرگ انتخاب می کنیم لذا ولتاژ کلکتور امیتر کم بوده و ترانزیستور بصورت یک کلید عمل میکند و هر دو پیوند کلکتور بیس و بیس امیتر در بایاس مستقیم می باشد .

جریان کلکتور در این حالت برابر است با : ic=vcc-vcesat

rc

جریان بیس از رابطه زیر بدست خواهد آمد:

ib=icsat

min β

ضریب تحریک اضافی یا odf :

odf به صورت نسبت بین ibf بهibs، ibf بسیار بزگتر از ibs می تواند انتخاب شود.بعنوان مثال برای یک مدار ترانزیستوری می توانیم odf را 5 در نظر بگیریم .

تلفات در یک ترانزیستور :

تلفات در یک ترانزیستور برابر است با مجموع تلفات پیوند ce و پیوند beیعنی می توان نوشت :pt=vcesat.icsat+vbesat.ibf

همان گونه که ملاحظه می کنید توان خیلی زیادی در عنصر تلف می شود . بنابراین باید در نظر داشته باشیم که هنگامی که ترانزیستور اشباع شد طرف قدرت افزایش می یابد . به ازای مقادیر بزرگ odf ترانزیستور ممکن است بخاطر وقوع مسئله حرارتی صدمه ببیند . از طرفی اگر ترانزیستور بصورت ضعیف تحریک شود امکان دارد که ترانزیستور به ناحیه فعال کشیده شود که در این حالت نیز به علت بالا بودن ولتاژ ce تلفات در ترانزیستور بالا خواهد بود .

مشخصه سوئیچ زنی:

همان گونه که دربارۀ دیود گفته شد ترانزیستور bjtدر زمان روشن شدن و در زمان خاموش شدن بصورت ناگهانی عکس العمل نشان نخواهد داد .

تحقیق در مورد فتو دیود 14 ص

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

دسته بندی : وورد

نوع فایل :  .doc ( قابل ویرایش و آماده پرینت )

تعداد صفحه : 14 صفحه

 قسمتی از متن .doc : 

دیود چگونه کار می کند؟

منحنی رفتار یک دیود در هنگام اعمال ولتاژ مثبت

 اگر به یک پیوند PN ولتاژ با پلاریته موافق متصل کنیم جریان از این پیوند عبور کرده و اگر ولتاژ را معکوس کنیم در مقابل عبور جریان از خود مقاومت نشان می دهد. باید اشاره کنیم که قصد نداریم تا به تفضیل وارد بحث فیزیک الکترونیک شویم و فقط سعی خواهیم کرد با بیان نتایج حاصل از این شاخه علمی ابتدا عملکرد دیود و سپس ترانزیستور را بررسی کنیم.

همانطور که می دانید دیود ها جریان الکتریکی را در یک جهت از خود عبور می دهند و در جهت دیگر در مقابل عبور جریان از خود مقاومت بالایی نشان می دهند. این خاصیت آنها باعث شده بود تا در سالهای اولیه ساخت این وسیله الکترونیکی، به آن دریچه یا Valve هم اطلاق شود. از لحاظ الکتریکی یک دیود هنگامی عبور جریان را از خود ممکن می سازد که شما با برقرار کردن ولتاژ در جهت درست (+ به آند و - به کاتد) آنرا آماده کار کنید. مقدار ولتاژی که باعث میشود تا دیود شروع به هدایت جریان الکتریکی نماید ولتاژ آستانه یا (forward voltage drop) نامیده می شود که چیزی حدود 0.6 تا 0.7 ولت می باشد. به شکل اول توجه کنید که چگونه برای ولتاژهای مثبت - منظور جهت درست می باشد - تا قبل از 0.7 ولت دیود از خود مقاومت نشان می دهد و سپس به یکباره مقاومت خود را از دست می دهد و جریان را از خود عبور می دهد.   نماد فنی و دو نمونه از انواع دیوید

اما هنگامی که شما ولتاژ معکوس به دیود متصل می کنید (+ به کاتد و - به آند) جریانی از دیود عبور نمی کند، مگر جریان بسیار کمی که به جریان نشتی یا Leakage معروف است که در حدود چند µA یا حتی کمتر می باشد. این مقدار جریان معمولآ در اغلب مدار های الکترونیکی قابل صرفنظر کردن بوده و تاثیر در رفتار سایر المانهای مدار نمیگذارد. اما نکته مهم آنکه تمام دیود ها یک آستانه برای حداکثر ولتاژ معکوس دارند که اگر ولتاژمعکوس بیش از آن شود دیوید می سوزد و جریان را در جهت معکوس هم عبور می دهد. به این ولتاژ آستانه شکست یا Breakdown گفته می شود.

در دسته بندی اصلی، دیودها را به سه قسمت اصلی تقسیم می کنند، دیودهای سیگنال (Signal) که برای آشکار سازی در رادیو بکار می روند و جریانی در حد میلی آمپر از خود عبور می دهند، دیودهای یکسوکننده (Rectifiers) که برای یکسوسازی جریانهای متناوب بکاربرده می شوند و توانایی عبور جریانهای زیاد را دارند و بالآخره دیود های زنر (Zener) که برای تثبیت ولتاژ از آنها استفاده می شود

اطلاعات اولیه

سیلیکن یکی از عناصر شیمیایی جدول تناوبی است که نماد آن Si و عدد اتمی آن 14 می‌باشد. این شبه فلز 4 ظرفیتی به واکنش‌پذیری کربن نیست. این عنصر دومین عنصر از نظر فراوانی در سطح پوسته زمین است که 25.7% از وزن آن را به خود اختصاص می‌دهد. این عنصر در خاک رس ، فلدسپار ، گرانیت ، کوارتز و ماسه معمولا به شکل دی‌اکسید سیلیکن وجود دارد که با عنوان سیلیکا شناخته می‌شود. ترکیبات سیلیکاتی حاوی سیلیکن ، اکسیژن و فلزات هستند. سیلیکن ماده اصلی شیشه ، ماده‌های نیمه رسانا ، سیمان ، سرامیک و Silicones می‌باشد که ماده پلاستیکی است که نام آن معمولا با سیلیکن اشتباه می‌شود.

تاریخچه

سلیکن که از واژه لاتین Silex به معنی سنگ چخماق گرفته شده است، برای اولین بار توسط "Antonie Lavoisier" در سال 1787 شناسایی شد و بعدا توسط "همفری دیوی" برای یک ترکیب بصورت نادرست دوباره گرفته شد. در سال 1811 "Gay Lussac" و "Thenard" سیلیکن بی‌نظم و ناخالصی را بوسیله گرما دادن پتاسیم و سیلیکن بدست آوردند. در سال 1824 "Berzelius" سیلیکن بی‌نظم را تقریبا با همان شیوه Lussac بدست آورد. Berzelius همچنین این عنصر را با شستن مکرر آن پالایش کرد.

پیدایش

سیلیکن ماده اصلی شهاب سنگهای Aerolite بوده که یک گروه از شهاب سنگها می‌باشد. همچنین سیلیکن ماده اصلی Tektites ها را که ماده اصلی شیشه نیز هست، تشکیل می‌دهد. سیلیکن بعد از اکسیژن دومین عنصر در پوسته زمین است که 25.7% آن را به خود اختصاص می‌دهد. عنصر سیلیکن به‌صورت آزاد در طبیعت وجود ندارد و معمولا به‌صورت اکسید سیلیکات وجود دارد. ماسه ، یاقوت ، عقیق ، کوارتز ، سنگ کریستال ، سنگ چخماق ، یشم و اوپال همگی موادی هستند که در آنها اکسید سیلیکن وجود دارد. گرانیت ، پنبه نسوز ، فلدسپار ، خاک رس ، هورن بلند و میکاتعدادی از کانی‌های سیلیکات می‌باشند.

خصوصیات قابل توجه

سیلیکن به‌صورت کریستال و متبلور ، درخشش فروزانی و رنگ مایل به خاکستری دارد. اگر چه سیلیکن یک عنصر بی‌اثر است، ولی با هالوژنها واکنش نشان داده و مواد قلیایی را رقیق می‌کند. اما بیشتر اسیدها بجز اسید هیدروفلوریک بر آن اثر نمی‌گذارند. عنصر سیلیکن بیش از 95% طول موج نور مادون قرمز را انتقال می‌دهد.

کاربردها

سیلیکن ماده بسیار مهمی است که برای بسیاری از صنایع بشری نقش حیاتی دارد. دی‌اکسید سیلیکن به شکل ماسه و خاک رس ماده اصلی ساخت بتون و آجر بوده و در ساخت سیمان نیز استفاده می‌شود. سیلیکن یک عنصر بسیار مهم برای زندگی گونه‌های

تحقیق در مورد دیود 11 ص

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

دسته بندی : وورد

نوع فایل :  .doc ( قابل ویرایش و آماده پرینت )

تعداد صفحه : 11 صفحه

 قسمتی از متن .doc : 

دیود

مقدمه

دیودها جریان الکتریکی را در یک جهت از خود عبور می‌‌دهند و در جهت دیگر در مقابل عبور جریان از خود مقاومت بالایی نشان می‌‌دهند. این خاصیت آنها باعث شده بود تا در سالهای اولیه ساخت این وسیله الکترونیکی ، به آن دریچه یا Valve هم اطلاق شود. از لحاظ الکتریکی یک دیود هنگامی عبور جریان را از خود ممکن می‌‌سازد که شما با برقرار کردن ولتاژ در جهت درست (+ به آند و - به کاتد) آنرا آماده کار کنید. مقدار ولتاژی که باعث می‌شود تا دیود شروع به هدایت جریان الکتریکی نماید ولتاژ آستانه یا (forward voltage drop) نامیده می‌شود که چیزی حدود 0.6 تا 0.6 ولت می‌‌باشد.

ولتاژ معکوس

هنگامی که شما ولتاژ معکوس به دیود متصل می‌‌کنید (+ به کاتد و - به آند) جریانی از دیود عبور نمی‌کند، مگر جریان بسیار کمی که به جریان نشتی یا Leakage معرف است که در حدود چند µA یا حتی کمتر می‌‌باشد. این مقدار جریان معمولآ در اغلب مدارهای الکترونیکی قابل صرفنظر کردن بوده و تأثیر در رفتار سایر المانهای مدار نمی‌گذارد. اما نکته مهم آنکه تمام دیودها یک آستانه برای حداکثر ولتاژ معکوس دارند که اگر ولتاژ معکوس بیش از آن شود دیود می‌‌سوزد و جریان را در جهت معکوس هم عبور می‌‌دهد. به این ولتاژ آستانه شکست یا Breakdown گفته می‌شود.

دسته بندی دیودها

در دسته بندی اصلی ، دیودها را به سه قسمت اصلی تقسیم می‌‌کنند، دیودهای سیگنال (Signal) که برای آشکار سازی در رادیو بکار می‌‌روند و جریانی در حد میلی آمپر از خود عبور می‌‌دهند، دیودهای یکسو کننده (Rectifiers) که برای یکسو سازی جریانهای متناوب بکار برده می‌‌شوند و توانایی عبور جریانهای زیاد را دارند و بالاخره دیودهای زنر (Zener) که برای تثبیت ولتاژ از آنها استفاده می‌شود.

اختراع دیود پلاستیکی (plastic diode)

محققان فیزیک دانشگاه اوهایو (Ohio State University) توانستند دیود تونل پلیمری اختراع کنند. این قطعه الکترونیکی منجر به ساخت نسل آینده حافظه‌های پلاستیکی کامپیوتری و چیپهای مدارات منطقی خواهد شد. این قطعات کم مصرف و انعطاف پذیر خواهند بود. ایده اصلی از سال 2003 که یک دانشجوی کارشناسی دانشگاه اوهایو ، سیتا اسار ، شروع به طراحی سلول خورشیدی پلاستیکی نمود بوجود آمد. تیم پژوهشی توسط پاول برگر (Paul Berger) ، پروفسور الکترونیک و مهندسی کامپیوتر و همچنین پروفسور فیزیک دانشگاه اوهایو رهبری می‌شود

دیودها جریان الکتریکی را در یک جهت از خود عبور می‌دهند و در جهت دیگر در مقابل عبور جریان از خود مقاومت بالایی نشان می‌دهند. این خاصیت آنها باعث شده بود تا در سالهای اولیه ساخت این وسیله الکترونیکی، به آن دریچه هم اطلاق شود.از لحاظ الکتریکی یک دیود هنگامی عبور جریان را از خود ممکن می‌سازد که شما با برقرار کردن ولتاژ در جهت درست (+ به آند و - به کاتد) آنرا آماده کار کنید. مقدار ولتاژی که باعث می‌شود تا دیود شروع به هدایت جریان الکتریکی نماید ولتاژ آستانه یا (forward voltage drop) نامیده می‌شود که چیزی حدود ۰٫۶ تا ۰٫۷ ولت می‌باشد. نماد فنی و دو نمونه از انواع دیوید اما هنگامی که شما ولتاژ معکوس به دیود متصل می‌کنید (+ به کاتد و - به آند) جریانی از دیود عبور نمی‌کند، مگر جریان بسیار کمی که به جریان نشتی معرف است که در حدود چند µA یا حتی کمتر می‌باشد. این مقدار جریان معمولآ در اغلب مدارهای الکترونیکی قابل صرفنظر کردن بوده و تأثیر در رفتار سایر المانهای مدار نمیگذارد. اما نکته مهم آنکه تمام دیودها یک آستانه برای حداکثر ولتاژ معکوس دارند که اگر ولتاژمعکوس بیش از آن شود دیوید می‌سوزد و جریان را در جهت معکوس هم عبور می‌دهد. به این ولتاژ آستانه شکست گفته می‌شود.

دسته بندی دیود ها

در دسته بندی اصلی، دیودها را به سه قسمت اصلی تقسیم می‌کنند، دیودهای سیگنال که برای آشکار سازی در رادیو بکار می‌روند و جریانی در حد میلی آمپر از خود عبور می‌دهند، دیودهای یکسوکننده (Rectifiers) که برای یکسوسازی جریانهای متناوب بکاربرده می‌شوند و توانایی عبور جریانهای زیاد را دارند و بالآخره دیودهای زنر (Zener) که برای تثبیت ولتاژ از آنها استفاده می‌شود. برای شناسایی قسمت +و-دیود از اهم متر استفاده میشود که باتوجه به عقربه ی اهم متر میتوان این شناسایی را انجام داد.

دیود پیوندی

از پیوند دو نوع نیم رسانای n و p یک قطعه الکترونیکی به نام دیود بوجود می‌آید که در انواع مختلفی در سیستمهای مخابرات نوری ، نمایشگرهای دیجیتالی ، باتری‌های خورشیدی و ... مورد استفاده قرار می‌گیرد. دید کلی دیود یک قطعه ‌الکترونیکی است که ‌از به هم چسباندن دو نوع ماده n و p (هر دو از یک جنس ، سیلیسیم یا ژرمانیم) ساخته می‌شود. چون دیود یک قطعه دو پایانه ‌است، اعمال ولتاژ در دو سر پایانه‌هایش سه حالت را پیش می‌آورد.دیود بی بایاس یا بدون تغذیه که ولتاژ دو سر دیود برابر صفر است و جریان خالص بار در هر جهت برابر صفر است.بایاس مستقیم یا تغذیه مستقیم که ولتاژ دو سر دیود بزرگتر از صفر است که ‌الکترونها را در ماده n و حفره‌ها را در ماده p تحت فشار قرار می‌دهد تا یونهای مرزی با یکدیگر ترکیب شده و عرض ناحیه تهی کاهش یابد. (گرایش مستقیم دیود)تغذیه یا بایاس معکوس که ولتاژ دو سر دیود کوچکتر از صفر است، یعنی ولتاژ به دو سر دیود طوری وصل می‌شود که قطب مثبت آن به ماده n و قطب منفی آن به ماده p وصل گردد و به علت کشیده شدن یونها به کناره عرض ناحیه تهی افزایش می‌یابد (گرایش معکوس دیود). مشخصه دیود در گرایش مستقیم فرض کنید توسط مداری بتوانیم ولتاژ دو سر یک دیود را تغییر دهیم و توسط ولتمتر و آمپرمتر ولتاژ و جریان دیود را در هر لحظه اندازه گیری کرده ،بر روی محورهای مختصات رسم نماییم.جریان I در جهتی است که دیود قادر به عبور آن است .به همین علت اصطلاحاَ گفته می شود

تحقیق در مورد اصول دیود PIN

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

دسته بندی : وورد

نوع فایل :  .doc ( قابل ویرایش و آماده پرینت )

تعداد صفحه : 9 صفحه

 قسمتی از متن .doc : 

 اصول دیود PIN

دیود PIN وسیله ی نیمه هادی است که به عنوان یک مقاومت متغیر در فرکانسهای RF و مایکروویوی عمل می کند. مقدار مقاومت دیود PIN به تنهائی توسط جریان dc بایاس مستقیم آن مشخص می شود.

دیود PIN وسیله ی نیمه هادی است که به عنوان یک مقاومت متغیر در فرکانسهای RF و مایکروویوی عمل می کند. مقدار مقاومت دیود PIN به تنهائی توسط جریان dc بایاس مستقیم آن مشخص می شود.

دیود PIN می بایست در کاربردهای سوئیچ و تضعیف کننده به طور ایده آلی سطح سیگنال RF را بدون اعوجاج کنترل کند زیرا ممکن است باعث تغییراتی در شکل سیگنال RF شود. مشخصه ی مهم و افزوده ی این دیودها توانائی آنها در کنترل سیگنالهای RF بزرگ در هنگامی است که از سطح تحریک dc بسیار کمی استفاده می کنند.

مدلی از دیود PIN در شکل 1 نشان داده شده است. این چیپ با شروع از یک ویفر تهیه می شود که اغلب به طور ذاتی سیلیکون خالص است و عمر زیادی دارد. سپس ناحیه ی P روی یک سطح و ناحیه ی N روی سطح دیگر تزریق می شوند. ضخامت W ناحیه ی ایجاد شده یا ناحیه-I تابعی از ضخامت ویفر سیلیکونی پایه است و مساحت چیپ A وابسته به این است که به چه مقدار بخش های کوچکی از ویفر اصلی تعریف شده است.

کارایی دیود PIN در ابتدا وابسته به ظاهر چیپ و طبیعت نیمه هادی دیود ساخته شده خصوصاً در ناحیه-I است. اگر ضخامت ناحیه-I کنترل شود، طول عمر بالای عبور حامل و مقاومت بالای آن را به همراه خواهد داشت. این مشخصات توانائی کنترل سیگنال RF را با کمترین اعوجاج بهبود می بخشند آن هم در مواقعی که نیازمند استفاده از منبع تغذیه ی dc سطح پائین هستیم.

دیود PIN در بایاس مستقیم

هنگامیکه که دیود PIN در بایاس مستقیم است، حفره ها و الکترونها از نواحی P و N به ناحیه-I انتشار می یابند. این بارها به سرعت ترکیب مجدد نمی شوند و در عوض مقدار محدودی از بارها برای همیشه در ناحیه-I باقی مانده و مقاومت آن را کاهش می دهند. مقدار بار ذخیره شده Q به زمان ترکیب مجدد، τ عمرحامل، و جریان بایاس مستقیم IF وابسته است(رابطه ی 1):

مقاومت RS ناحیه-I تحت بایاس مستقیم به طور معکوس به Q وابسته بوده و ممکن است به شکل زیر بیان شود(رابطه ی 2):

از ترکیب روابط 1 و 2 رابطه ای برای RS بدست می آید که به عنوان تابعی معکوس از جریان است(رابطه ی 3):

این رابطه مستقل از مساحت است ولی در دنیای واقعی، RS کمی به مساحت وابسته است آن هم از این جهت که عمر موثر با مساحت و ضخامت (ناشی از ترکیب مجدد لبه) تغییر می کند. به طور نمونه، دیودهای PIN مشخصه مقاومت مشابه آنچه در شکل 2 رسم شده است را دارند. مقاومت در حدود 0.1 اهم در جریان بایاس مستقیم 1A به حدود 10K اهم در جریان بایاس مستقیم 1uA افزایش می یابد که بازه ای خوب برای دیود PIN است.

ماکزیمم مقاومت بایاس مستقیم (RS(max برای یک دیود PIN معمولاً در جریان بایاس مستقیم 100mA مشخص می شود. در بعضی مواقع  (RS(min  توسط جریان بایاس مستقیم 10uA مشخص می شود. این مشخصه ها یک بازه ی وسیع از مقاومت دیود را تضمین می کنند که خصوصاً در کاربردهای تضعیف کننده مهم است. در فرکانسهای پائینتر، RS ثابت نیست ولی با کاهش فرکانس، افزایش می یابد. دیودهای PIN معمولی که برای کار در فرکانسهای RF و مایکروویوی طراحی شده اند این افزایش در مقاومت RS را در بازه ی 1MHz تا 10MHz نشان می دهند. مثال خوب از این بازه ی فرکانسی سری

تحقیق درمورد آشنایی با ساختمان و عملکرد نیمه هادی دیود و ترانزیستور

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 34

آشنایی با ساختمان و عملکرد

نیمه هادی دیود و ترانزیستور

نیمه هادی ها و ساختمان داخلی آنها

نیمه هادی ها عناصری هستند که از لحاظ هدایت ، ما بین هادی و عایق قرار دارند، و مدار آخر نیمه هادیها ، دارای 4 الکترون می‌باشد.

ژرمانیم و سیلیکون دو عنصری هستند که خاصیت نیمه هادی ها را دارا می‌باشند و به دلیل داشتن شرایط فیزیکی خوب ، برای ساخت نیمه هادی دیود ترانزیستور ، آی سی (IC ) و .... مورد استفاده قرار می‌گیرد.

ژرمانیم دارای عدد اتمی‌32 می‌باشد .

این نیمه هادی ، در سال 1886 توسط ونیکلر کشف شد.

این نیمه هادی ، در سال 1810توسط گیلوساک و تنارد کشف شد. اتمهای نیمه هادی ژرمانیم و سیلیسیم به صورت یک بلور سه بعدی است که با قرار گرفتن بلورها در کنار یکدیگر ، شبکه کریستالی آنها پدید می‌آید .

اتم های ژرمانیم و سیلیسیم به دلیل نداشتن چهار الکترون در مدار خارجی خود تمایل به دریافت الکترون دارد تا مدار خود را کامل نماید. لذا بین اتم های نیمه هادی فوق ، پیوند اشتراکی برقرار می‌شود.

بر اثر انرژی گرمائی محیط اطراف نیمه هادی ، پیوند اشتراکی شکسته شده و الکترون آزاد می‌گردد. الکترون فوق و دیگر الکترون هائی که بر اثر انرژی گرمایی بوجود می‌آید در نیمه هادی وجود دارد و این الکترون ها به هیچ اتمی‌وابسته نیست.

د ر مقابل حرکت الکترون ها ، حرکت دیگری به نام جریان در حفره ها که دارای بار مثبت می‌باشند، وجود دارد. این حفره ها، بر اثر از دست دادن الکترون در پیوند بوجود می‌آید.

بر اثر شکسته شدن پیوندها و بو جود آمدن الکترون های آزاد و حفره ها ، در نیمه هادی دو جریان بوجود می‌آید.جریان اول حرکت الکترون که بر اثر جذب الکترون ها به سمت حفره ها به سمت الکترون ها بوجود خواهد آمد و جریان دوم حرکت حفره هاست که بر اثر جذب حفره ها به سمت الکترون ها بوجود می‌آید. در یک کریستال نیمه هادی، تعداد الکترونها و حفره ها با هم برابرند ولی حرکت الکترون ها و حفره ها عکس یکدیگر می‌باشند.

نیمه هادی نوع N وP

از آنجایی که تعداد الکترونها و حفره های موجود در کریستال ژرمانیم و سیلیسیم در دمای محیط کم است و جریان انتقالی کم می‌باشد، لذا به عناصر فوق ناخالصی اضافه می‌کنند.

هرگاه به عناصر نیمه هادی ، یک عنصر 5 ظرفیتی مانند آرسنیک یا آنتیوان تزریق شود، چهار الکترون مدار آخر آرسنیک با چهار اتم مجاور سیلسیم یا ژرمانیم تشکیل پیوند اشتراکی داده و الکترون پنجم آن ، به صورت آزاد باقی می‌ماند.

بنابرین هر اتم آرسنیک، یک الکترون اضافی تولید می‌کند، بدون اینکه حفره ای ایجاد شده باشد. نیمه هادی هایی که ناخالصی آن از اتم های پنج ظرفیتی باشد، نیمه هادی نوع N نام دارد.

در نیمه هادی نوع N ، چون تعداد الکترون ها خیلی بیشتر از تعداد حفره هاست لذا عمل هدایت جریان را انجام می‌دهند . به حامل هدایت فوق حامل اکثریت و به حفره ها حامل اقلیت می‌گویند.

هرگاه به عناصر نیمه هادی ژرمانیم و سیلیسیم ، یک ماده 3 ظرفیتی مانند آلومنیوم یا گالیم تزریق شود، سه الکترون مدار آخر آلومنیوم با سه الکترون سه اتم سیلیسیم یا ژرمانیم مجاور ، تشکیل پیوند اشتراکی می‌دهند . پیوند چهارم دارای کمبود الکترون و در واقع یک حفره تشکیل یافته است .