دانشکده
دانلود فایل ها و تحقیقات دانشگاهی ,جزوات آموزشیدانشکده
دانلود فایل ها و تحقیقات دانشگاهی ,جزوات آموزشیمقاله درمورد تریستور ها
لینک دانلود و خرید پایین توضیحات
فرمت فایل word و قابل ویرایش و پرینت
تعداد صفحات: 17
تریستور ها از مهمترین قطعات نیمه هادی قدرت هستند وبسیار زیاد در مدارهای الکترونیک قدرت بکارگرفته می شوند . این عناصر کلید های دو حالته ای هستند که از حالت قطع به حالت وصل در می آیند. در بسیاری از کاربرد ها می توان تریسور را یک کلید اید ه آل فرض نمود اما در عمل رفتار تریستور ها دارای مشخصات و محدودیتهای خاص است.
تریستور عنصر نیمه هادی چهار لایه ای است که ساختار آن بصورت pnpn بوده و دارای سه پیوند pn است. این عنصر سه سر دارد . آند ؛ کاتد وگیت . تریستور ها به روش دیفیوژن ساخته می شوند .
هنگامی که ولتاژ آند نسبت به کاتد مثبت باشد پیوند های 1J و 3 J
درحالت بایاس مستقیم و پیوند 2 J در حالت بایاس معکوس قرار می گیرد وتنها جریان نشتی اندکی از آند به کاتد جریان می یابد. در این حالت می گوییم تریستور در وضعیت سد کنندگی مستقیم یا حالت قطع قرار دارد و جریان نشتی را جریان حالت قطعِِ D I می نامیم .اگر ولتاژ آند نسبت به کاتد VAK به قدر کافی زیاد شوند پیوند 2 J که در حالت بایاس معکوس قرار دارد شکسته می شود . این پدیده را شکست بهمنی وولتاژ متناظر با آن را ولتاژ شکست مستقیم VBO می نامیم.از آنجا که پیوند های 1J و 3 J قبلا در حالت بایاس مستقیم قرار گرفته اند حرکت آزادانه حامل ها در سه پیوند ؛ منجر به برقراری جریان مستقیم قابل ملا حظه ای در آند می شود . در این وضعیت تریستور در وضعیت هدایت یا وصل قرار می گیرد وهمچنین به خاطر مقاومت اهمی چهار لایه افت ولتاژ کوچکی در حدود V 1 مشاهده می گردد.
به منظور آنکه تعداد کافی از حاملها در پیوند جریان یابند جریان آند با ید از مقداری که جریان تثبیت کننده I L نامیده می شود . بیشتر باشد. در غیر این صورت با کاهش ولتاژآند نسبت به کاتد تریستور از حالت وصل به حالت قطع باز خواهد گشت . جریان تثبیت کننده I L حد اقل جریان آند مورد نیاز است که بعد از آنکه تریستور روشن شد و سیگنال گیت ازروی آن برداشته شد ؛ لازم است بر قرار باشد تا تریستور رادر حالت روشن نگه دارد.
هنگامی که تریستور شروع به هدایت کرد ؛ رفتار آن مشابه یک دیود در حال
هدایت می شود و کنترلی روی آن وجود ندارد . عنصر به هدایت خود ادامه خواهد داد چرا که به واسطه ی حرکت آزادانه ی حامل ها لایه تخلیه در پیوند 2 J وجود ندارند . عنصر به خود ادامه خواهد داد چرا که به واسطه حرکت آزادانه حامل ها لایه تخلیه در پیوند 2 J وجود ندارد . گر چه اگرجریان مستقیم آند به سطحی پایین تر از جریانی که نگهدارنده ی I H نامیده می شود ؛کاهش یابد ؛ به علت کاهش تعداد حاملها در اطراف پیوند 2 J یک ناحیه تخلیه ایجاد می گردد و تریستور در حالت قطع قرار می گیرد . جریان نگهدارنده در حد میلی آمپر بوده واز جریان تثبیت کننده I L است یعنی I H > I L جریان نگهدارنده کمترین جریان آند می باشد که تریستور رادر حالت روشن نگاه می دارد
عملکرد نوزایی یا تثبیت کنندگی به واسطه فیدیک مثبت را می توان با مدل دو ترانزیستوری تریستور توجیه کرد .هر تریستور را می توان به صورت دو ترانزیستور
مکمل (یک ترانزیستور Q1 pnp ویک ترانزیستور Q2 npn ) در شکل زیر در نظرگرفت.
روشن کردن تریستور :
هر تریستور با افزایش جریان آند آن روشن می گردد . روشن کردن تریستور به
یکی از روشهای زیر امکان پذیر است :
گرما: اگر دمای تریستور بالا رود تعداد زوجهای حفره - الکترون افزایش خواهد یافت در نتیجه جریان نشتی افزایش می یابد.واین افزایش جریانها a 1 + a2 را افزایش خواهد داد. بواسطه فرآیند نوزایی ( a 1 + a2 ) ممکن است به سمت واحد میل کند وامکان دارد تریستور روشن شود . این شیوه روشن شدن تریستور ممکن است باعث نا پایدلری حرارتی گردد وباید از آن اجتناب کرد.
نیمه رساناها
لینک دانلود و خرید پایین توضیحات
فرمت فایل word و قابل ویرایش و پرینت
تعداد صفحات: 30
بیان ساده شده نظریه نیمر سانا
نیمرسانا ماده ای است که مقاومت ویژه آن خیلی کمتر از مقاومت ویژه عایق و در عین حال خیلی بیشتر از مقاومت ویژه رساناست، و مقاومت ویژه اش با افزایش دما کاستی می پذیرد.مثلا، مقاومت ویژه مس 8-10اهم - متر کوا رتز1012 اهم - متر ، و مقاومت ویژه مواد نیمرسانای ، یعنی سیلیسیم 5/ . اهم- متر و از آن ژرمانیم 2300 اهم -متر در دمای c27 است. برای درک عملکرد نیمرسانا ها و ابزار نیمرسانا ، قدری آشنایی با مفاهیم اساسی ساختار اتمی ماده ضروری است.
دیو دهای نیمرسانا
ساختمان
دیود نیمرسانا وسیله ای است که در مقابل عبور جریان ، در یک جهت مقاومت زیاد و در جهت دیگر مقاومت کمی برو ز میدهد . دیود را به طور گستردهای و برای اهداف گوناگون در مدارهای الکترونیکی به کا ر می گیرند و اساساً شامل یک پیوند p-n است که از بلور سیلیسیوم و یا ژرمانیم تشکیل می شود . (شکل ب) نماد دیود نیمرسانا در شکل الف نموده شده است .
جهتی که دیود در مقابل عبور جریان مخالقت کمی بروز میدهد با سر پیکان نشان داده شده است .
دیود نیمر سانا نسبت به دیود گرما یونی از مزایای زیادی برخوردار است، این دیود به منبع گرم کن نیاز ندارد، بسیار کوچک تر و سبک تر است ، و قابلیت اطمینان بسیار بیشتری دارد.
ژرمانیم یا سیلیسیمی که در ساخت دیود نیمرسانا به کار میرود باید ابتدا تا رسیدن به غلظت نا خالصی کمتر از یک جزء در 10 10 جزء پالوده شود.سپس اتمهای ناخالصی مطلوب ، بخشنده ها یا پذیرنده ها ، به مقادیر مورد لزوم اضافه شده و ماده به شکل یک تک بلور ساخته می شود.
برای ساختن پولک ژرمانیم نوع n مقداری ژرمانیم ذاتی را با کمی ناخالصی در یک بوته ودر خلاءذوب می کنند، ویک بلور هسته را تا عمق چند میلیمتری در مذاب فرو می برند. دمای ژرمانیم مذاب در ست بالای نقطه ذوب بلور هسته قرار دارد ، و چند میلیمتری از هسته غوطه ور در مذاب نیز ذوب می شود .این هسته با سرعت ثابتی چرخانده می شود و همزمان به آرامی از مذاب بیرون کشیده می شود ، بدین سان یک بلور نوع n تشکیل شده است . با کنترل دقیق این فرایند می توان به غلظت نا خالصی مورد نیاز دست یافت.
قرصی از ایندیم در یک پولک ژرمانیم قرار می دهند و به آن دمای با لاتر از نقطه ذوب ایندیم ولی پایین تراز نقطه ذوب ژرمانیم حرارت داده میشود. ایندیم ذوب می شود و ژرمانیم را حل می کند تا اینکه محلول اشباح شده از ژرمانیم در ایندیم به دست آید. سپس پولک به آرامی سرد می شود و در خلال سرد شدن یک ناحیه ژرمانیم نوع p در پولک تولید شده و آلیاژی از ژرمانیم و ایندیم (عمدتاً ایندیم) در پولک ته نشین می شود. پیوند p-n آلیاژ سیلیسیم را نیز می توان با همین روش و با بکار گیری آلومینیوم به عنوان پذیرنده، تشکیل داد.
ژرمانیم نوع p تا دمای خیلی نزدیک به نقطه ذوب ژرمانیم گرم می شود، و پیرامون آن را عنصر بخشنده آنتیموان که گازی شکل است فرا می گیرد. اتم های آنتیمیوان در ژرمانیم پخش می شود تا یک ناحیه نوع n را تولید کند . اگر از یک بلور نوع n استفاده شود، گالیم گازی شکل به عنوان عنصر پذیرنده برای تهیه ناحیه نوع p در بلور بکار می رود. وقتی قرار است وسیله ای سیلیسیمی ساخته شود، از بور به عنوان عنصر پذیرنده و از فسفر به عنوان عنصر بخشنده استفاده می شود.
دیود پیوندی شامل بلوری است که هم دارای ناحیه نوع p و هم ناحیه نوع n است. دیود های پیوندی یا از ژرمانیم ساخته می شود و یا از سیلیسیم، اولی دارای مزیت مقاومت مستقیم کمتر و دومی از مزیت داشتن ولتاژ شکست بیشتر و جریان اشباح معکوس کمتر برخوردار است. اتصال به پیوند با سیمهایی که به هر یک از این دو ناحیه وصل شده، برقرار می شود. معمولاً برای جلوگیری از نفوذ رطوبت کل وسیله را در محفظه ای بسته قرار می دهند.
دیودهای اتصال- نقطه ای
اصولاً دیود اتصال- نقطه ای از یک قرص ژرمانیم نوع n که نوک یا سبیلهایش، از سیم تنگستنی است و بر رویه آن فشرده می شود، تشکیل یافته است. اتصال به سبیل از طریق دو سیم مسی انجام می شود در خلال ساخت دیود اتصال- نقطه ای، یک تپ جریان از دیود عبور می کند و باعث می شود که در مساحتی از قرص و درست در مجاورت نوک سبیل یک ناحیه نوع p تشکیل شود. در این حالت پیوند n-p که ظرفیت در قرص ایجاد شده است.
انواع دیودها و کاربرد آن ها
پارامترهای مهم دیودهای نیم رسانا عبارتند از :
1- مقاومت های a.c. مستقیم و معکوس.
2- جریان مستقیم حداکثر.
3- ظرفیت پیوند.
4- فعالیت در ناحیه شکست.
انواع اصلی دیود که در مدارهای الکترونیکی جدید بکار می روند، عبارتند از :
1- دیودهای سیگنالی.
2- دیودهای تون.
3- دیودهای زنر.
4- دیودهای با طرفیت متغیر (ورکتور).
1- دیودهای سیگنالی
اصطلاح دیود سیگنالی تمامی دیودهایی را در بر می گیرد که در مدارهایی که مقادیر اسمی زیاد جریان یا ولتاژ نیاز نیست بکار می روند. شرایط معمولی عبارتند از نسبت بزرگ مقاومت معکوس به مقاومت مستقیم و حداقل ظرفیت پیوند. برخی دیودهای موجود در بازار از انواعی هستند که کاربردهای آن دارند، دیودهای دیگری از این نوع یافت می شوند که کاربردهای مداری خاص، مثلاً، آشکار ساز، امواج رادیویی، یا کلیدالکترونیکی در مدارهای منتقی بسیار مناسبند. حداکثر ولتاژ معکوس، یا ولتاژ معکوس قله، که معمولاً از دیود انتظار ارائه ان می رود معمولاً خیلی بالا نیست، حداکثر جریان مستقیم هم بالا نیست. بیشتر انواع دیود سیگنالی دارای ولتاژ معکوس قله ای
نیمه رساناها 2
لینک دانلود و خرید پایین توضیحات
فرمت فایل word و قابل ویرایش و پرینت
تعداد صفحات: 33
1 بیان ساده شده نظریه نیمرسانا
نیمرسانا ماده ای است که مقاومت ویژه آن خیلی کمتر از مقاومت ویژه عایق و در عین حال خیلی بیشتر از مقاومت ویژه رساناست، و مقاومت ویژه اش با افزایش دما کاستی می پذیرد. مثلا، مقاومت ویژه مس 8-10اهم - متر کوا رتز1012 اهم - متر، و مقاومت ویژه مواد نیمرسانای، یعنی سیلیسیم 5/ . اهم- متر و از آن ژرمانیم 2300 اهم -متر در دمای c27 است. برای درک عملکرد نیمرسانا ها و ابزار نیمرسانا، قدری آشنایی با مفاهیم اساسی ساختار اتمی ماده ضروری است.
2 دیودهای نیمرسانا
ساختمان
دیود نیمرسانا وسیله ای است که در مقابل عبور جریان، در یک جهت مقاومت زیاد و در جهت دیگر مقاومت کمی برو ز می دهد. دیود را به طور گستردهای و برای اهداف گوناگون در مدارهای الکترونیکی به کار می گیرند و اساساً شامل یک پیوند p-n است که از بلور سیلیسیوم و یا ژرمانیم تشکیل می شود. (شکل ب) نماد دیود نیمرسانا در شکل الف نموده شده است.
جهتی که دیود در مقابل عبور جریان مخالفت کمی بروز می دهد با سر پیکان نشان داده شده است.
دیود نیمر سانا نسبت به دیود گرما یونی از مزایای زیادی برخوردار است، این دیود به منبع گرم کن نیاز ندارد، بسیار کوچک تر و سبک تر است ، و قابلیت اطمینان بسیار بیشتری دارد.
ژرمانیم یا سیلیسیمی که در ساخت دیود نیمرسانا به کار می رود باید ابتدا تا رسیدن به غلظت نا خالصی کمتر از یک جزء در 10 10 جزء پالوده شود. سپس اتمهای ناخالصی مطلوب، بخشنده ها یا پذیرنده ها، به مقادیر مورد لزوم اضافه شده و ماده به شکل یک تک بلور ساخته می شود.
برای ساختن پولک ژرمانیم نوع n مقداری ژرمانیم ذاتی را با کمی ناخالصی در یک بوته ودر خلأ ذوب می کنند، ویک بلور هسته را تا عمق چند میلیمتری در مذاب فرو می برند. دمای ژرمانیم مذاب درست بالای نقطه ذوب بلور هسته قرار دارد، و چند میلیمتری از هسته غوطه ور در مذاب نیز ذوب می شود. این هسته با سرعت ثابتی چرخانده می شود و همزمان به آرامی از مذاب بیرون کشیده می شود، بدین سان یک بلور نوع n تشکیل شده است. با کنترل دقیق این فرایند می توان به غلظت نا خالصی مورد نیاز دست یافت.
قرصی از ایندیم در یک پولک ژرمانیم قرار می دهند و به آن دمای با لاتر از نقطه ذوب ایندیم ولی پایین تراز نقطه ذوب ژرمانیم حرارت داده می شود. ایندیم ذوب می شود و ژرمانیم را حل می کند تا اینکه محلول اشباح شده از ژرمانیم در ایندیم به دست آید. سپس پولک به آرامی سرد می شود و در خلال سرد شدن یک ناحیه ژرمانیم نوع p در پولک تولید شده و آلیاژی از ژرمانیم و ایندیم (عمدتاً ایندیم) در پولک ته نشین می شود. پیوند p-n آلیاژ سیلیسیم را نیز می توان با همین روش و با بکارگیری آلومینیوم به عنوان پذیرنده، تشکیل داد.
ژرمانیم نوع p تا دمای خیلی نزدیک به نقطه ذوب ژرمانیم گرم می شود، و پیرامون آن را عنصر بخشنده آنتیموان که گازی شکل است فرا می گیرد. اتم های آنتیموان در ژرمانیم پخش می شود تا یک ناحیه نوع nرا تولید کند. اگر از یک بلور نوع n استفاده شود، گالیوم گازی شکل به عنوان عنصر پذیرنده برای تهیه ناحیه نوع p در بلور بکار می رود. وقتی قرار است وسیله ای سیلیسیمی ساخته شود، از بور به عنوان عنصر پذیرنده و از فسفر به عنوان عنصر بخشنده استفاده می شود.
دیود پیوندی شامل بلوری است که هم دارای ناحیه نوع p و هم ناحیه نوع n است. دیود های پیوندی یا از ژرمانیم ساخته می شود و یا از سیلیسیم، اولی دارای مزیت مقاومت مستقیم کمتر و دومی از مزیت داشتن ولتاژ شکست بیشتر و جریان اشباع معکوس کمتر برخوردار است. اتصال به پیوند با سیمهایی که به هر یک از این دو ناحیه وصل شده، برقرار می شود. معمولاً برای جلوگیری از نفوذ رطوبت کل وسیله را در محفظه ای بسته قرار می دهند.
دیودهای اتصال- نقطه ای
اصولاً دیود اتصال- نقطه ای از یک قرص ژرمانیم نوع n که نوک یا سبیلهایش، از سیم تنگستنی است و بر رویه آن فشرده می شود، تشکیل یافته است. اتصال به سبیل از طریق دو سیم مسی انجام می شود در خلال ساخت دیود اتصال- نقطه ای، یک تپ جریان از دیود عبور می کند و باعث می شود که در مساحتی از قرص و درست در مجاورت نوک سبیل یک ناحیه نوع p تشکیل شود. در این حالت پیوند n-p که ظرفیت در قرص ایجاد شده است.
انواع دیودها و کاربرد آن ها
پارامترهای مهم دیودهای نیمرسانا عبارتند از :
1- مقاومت های a.c. مستقیم و معکوس.
2- جریان مستقیم حداکثر.
3- ظرفیت پیوند.
4- فعالیت در ناحیه شکست.
انواع اصلی دیود که در مدارهای الکترونیکی جدید بکار می روند، عبارتند از :
1- دیودهای سیگنالی.
2- دیودهای توان.
3- دیودهای زنر.
4- دیودهای با طرفیت متغیر (ورکتور).
1. دیودهای سیگنالی
اصطلاح دیود سیگنالی تمامی دیودهایی را در بر می گیرد که در مدارهایی که مقادیر اسمی زیاد جریان یا ولتاژ نیاز نیست بکار می روند. شرایط معمولی عبارتند از نسبت بزرگ مقاومت معکوس به مقاومت مستقیم و حداقل ظرفیت پیوند. برخی دیودهای موجود در بازار از انواعی هستند که کاربردهای آن دارند، دیودهای دیگری از این نوع یافت می شوند که کاربردهای مداری خاص، مثلاً، آشکار ساز، امواج رادیویی، یا کلیدالکترونیکی در مدارهای منطقی بسیار مناسبند. حداکثر ولتاژ معکوس، یا ولتاژ معکوس قله، که معمولاً از دیود انتظار ارائه آن می رود معمولاً خیلی بالا نیست، حداکثر جریان مستقیم هم بالا نیست. بیشتر انواع دیود سیگنالی دارای ولتاژ معکوس قله ای در گستره v30 تا v 150 و حداکثر جریان مستقیم در حدود بین 40 وmA250 است. ولی اخیراً می توان به مقادیر بالاتری دست یافت.
2. دیودهای توان
دیودهای توان را غالباً برای تبدیل جریان متفاوب به جریان مستقیم، مانند یک سوسازها، بکار می برند. پارامترهای مهم دیود توان عبارتد از ولتاژ معکوس قله، حداکثر جریان مستقیم و نسبت مقاومت. ولتاژ معکوس قله احتمالاً دست در گستره V50 تا V1000 است با حداکثر جریان مستقیم که شاید A30 است. مقاومت مستقیم باید تا حد امکان پایین باشد تا از افت چشمگیری در ولتاژ دو سر دیود وقتی که جریان مستقیم زیادی جریان دارد جلوگیری می کند؛ معمولاً این مقاومت خیلی بیشتر از یک یا دو اهم نیست.
3. دیودهای زنر
جریان معکوس بزرگی که در هنکام در گذشتن ولتاژ دو سر دیود از ولتاژ شکست دیود، جاری می شود لزوماً نباید باعث آسیب رساندن به وسیله شود.
دیود زنر چنان ساخته شده است که به آن امکان می دهد در بدون خراب شدن، در ناحیه شکست کار کند، به شرط آن که جریان از طریق مقاومت خارجی به یک مقدار مجاز محدود شود. جریان زیاد در ولتاژ شکست یا دو عامل، به نام اثر زنر و اثر بهمنی، فراهم می آید در ولتاژهایی تا حدود V5 میدان الکتریکی نزدیک به پیوند چندان شدید است که می تواند الکترونها را از پیوند کوالانسی که اتم ها را کنار هم نگاه می دارد بیرون بکشد. زوجهای حفره- الکترونهای اضافی تولید می شوند و این زوج ها برای افزودن جریان معکوس در دسترسند. این اثر ر ا اثر زنر می نامند.
تحقیق در مورد نیمه رسانا ها
لینک دانلود و خرید پایین توضیحات
دسته بندی : وورد
نوع فایل : .doc ( قابل ویرایش و آماده پرینت )
تعداد صفحه : 32 صفحه
قسمتی از متن .doc :
1 بیان ساده شده نظریه نیمرسانا
نیمرسانا ماده ای است که مقاومت ویژه آن خیلی کمتر از مقاومت ویژه عایق و در عین حال خیلی بیشتر از مقاومت ویژه رساناست، و مقاومت ویژه اش با افزایش دما کاستی می پذیرد. مثلا، مقاومت ویژه مس 8-10اهم - متر کوا رتز1012 اهم - متر، و مقاومت ویژه مواد نیمرسانای، یعنی سیلیسیم 5/ . اهم- متر و از آن ژرمانیم 2300 اهم -متر در دمای c27 است. برای درک عملکرد نیمرسانا ها و ابزار نیمرسانا، قدری آشنایی با مفاهیم اساسی ساختار اتمی ماده ضروری است.
2 دیودهای نیمرسانا
ساختمان
دیود نیمرسانا وسیله ای است که در مقابل عبور جریان، در یک جهت مقاومت زیاد و در جهت دیگر مقاومت کمی برو ز می دهد. دیود را به طور گستردهای و برای اهداف گوناگون در مدارهای الکترونیکی به کار می گیرند و اساساً شامل یک پیوند p-n است که از بلور سیلیسیوم و یا ژرمانیم تشکیل می شود. (شکل ب) نماد دیود نیمرسانا در شکل الف نموده شده است.
جهتی که دیود در مقابل عبور جریان مخالفت کمی بروز می دهد با سر پیکان نشان داده شده است.
دیود نیمر سانا نسبت به دیود گرما یونی از مزایای زیادی برخوردار است، این دیود به منبع گرم کن نیاز ندارد، بسیار کوچک تر و سبک تر است ، و قابلیت اطمینان بسیار بیشتری دارد.
ژرمانیم یا سیلیسیمی که در ساخت دیود نیمرسانا به کار می رود باید ابتدا تا رسیدن به غلظت نا خالصی کمتر از یک جزء در 10 10 جزء پالوده شود. سپس اتمهای ناخالصی مطلوب، بخشنده ها یا پذیرنده ها، به مقادیر مورد لزوم اضافه شده و ماده به شکل یک تک بلور ساخته می شود.
برای ساختن پولک ژرمانیم نوع n مقداری ژرمانیم ذاتی را با کمی ناخالصی در یک بوته ودر خلأ ذوب می کنند، ویک بلور هسته را تا عمق چند میلیمتری در مذاب فرو می برند. دمای ژرمانیم مذاب درست بالای نقطه ذوب بلور هسته قرار دارد، و چند میلیمتری از هسته غوطه ور در مذاب نیز ذوب می شود. این هسته با سرعت ثابتی چرخانده می شود و همزمان به آرامی از مذاب بیرون کشیده می شود، بدین سان یک بلور نوع n تشکیل شده است. با کنترل دقیق این فرایند می توان به غلظت نا خالصی مورد نیاز دست یافت.
قرصی از ایندیم در یک پولک ژرمانیم قرار می دهند و به آن دمای با لاتر از نقطه ذوب ایندیم ولی پایین تراز نقطه ذوب ژرمانیم حرارت داده می شود. ایندیم ذوب می شود و ژرمانیم را حل می کند تا اینکه محلول اشباح شده از ژرمانیم در ایندیم به دست آید. سپس پولک به آرامی سرد می شود و در خلال سرد شدن یک ناحیه ژرمانیم نوع p در پولک تولید شده و آلیاژی از ژرمانیم و ایندیم (عمدتاً ایندیم) در پولک ته نشین می شود. پیوند p-n آلیاژ سیلیسیم را نیز می توان با همین روش و با بکارگیری آلومینیوم به عنوان پذیرنده، تشکیل داد.
ژرمانیم نوع p تا دمای خیلی نزدیک به نقطه ذوب ژرمانیم گرم می شود، و پیرامون آن را عنصر بخشنده آنتیموان که گازی شکل است فرا می گیرد. اتم های آنتیموان در ژرمانیم پخش می شود تا یک ناحیه نوع nرا تولید کند. اگر از یک بلور نوع n استفاده شود، گالیوم گازی شکل به عنوان عنصر پذیرنده برای تهیه ناحیه نوع p در بلور بکار می رود. وقتی قرار است وسیله ای سیلیسیمی ساخته شود، از بور به عنوان عنصر پذیرنده و از فسفر به عنوان عنصر بخشنده استفاده می شود.
دیود پیوندی شامل بلوری است که هم دارای ناحیه نوع p و هم ناحیه نوع n است. دیود های پیوندی یا از ژرمانیم ساخته می شود و یا از سیلیسیم، اولی دارای مزیت مقاومت مستقیم کمتر و دومی از مزیت داشتن ولتاژ شکست بیشتر و جریان اشباع معکوس کمتر برخوردار است. اتصال به پیوند با سیمهایی که به هر یک از این دو ناحیه وصل شده، برقرار می شود. معمولاً برای جلوگیری از نفوذ رطوبت کل وسیله را در محفظه ای بسته قرار می دهند.
دیودهای اتصال- نقطه ای
اصولاً دیود اتصال- نقطه ای از یک قرص ژرمانیم نوع n که نوک یا سبیلهایش، از سیم تنگستنی است و بر رویه آن فشرده می شود، تشکیل یافته است. اتصال به سبیل از طریق دو سیم مسی انجام می شود در خلال ساخت دیود اتصال- نقطه ای، یک تپ جریان از دیود عبور می کند و باعث می شود که در مساحتی از قرص و درست در مجاورت نوک سبیل یک ناحیه نوع p تشکیل شود. در این حالت پیوند n-p که ظرفیت در قرص ایجاد شده است.
انواع دیودها و کاربرد آن ها
پارامترهای مهم دیودهای نیمرسانا عبارتند از :
1- مقاومت های a.c. مستقیم و معکوس.
2- جریان مستقیم حداکثر.
3- ظرفیت پیوند.
4- فعالیت در ناحیه شکست.
انواع اصلی دیود که در مدارهای الکترونیکی جدید بکار می روند، عبارتند از :
1- دیودهای سیگنالی.
2- دیودهای توان.
3- دیودهای زنر.
4- دیودهای با طرفیت متغیر (ورکتور).
1. دیودهای سیگنالی
اصطلاح دیود سیگنالی تمامی دیودهایی را در بر می گیرد که در مدارهایی که مقادیر اسمی زیاد جریان یا ولتاژ نیاز نیست بکار می روند. شرایط معمولی عبارتند از نسبت بزرگ مقاومت معکوس به مقاومت مستقیم و حداقل ظرفیت پیوند. برخی دیودهای موجود در بازار از انواعی هستند که کاربردهای آن دارند، دیودهای دیگری از این نوع یافت می شوند که کاربردهای مداری خاص، مثلاً، آشکار ساز، امواج رادیویی، یا کلیدالکترونیکی در مدارهای منطقی بسیار مناسبند. حداکثر ولتاژ معکوس، یا ولتاژ معکوس قله، که معمولاً از دیود انتظار ارائه آن می رود معمولاً خیلی بالا نیست، حداکثر جریان مستقیم هم بالا نیست. بیشتر انواع دیود سیگنالی دارای ولتاژ معکوس قله ای در گستره v30 تا v 150 و حداکثر جریان مستقیم در حدود بین 40 وmA250 است. ولی اخیراً می توان به مقادیر بالاتری دست یافت.
2. دیودهای توان
دیودهای توان را غالباً برای تبدیل جریان متفاوب به جریان مستقیم، مانند یک سوسازها، بکار می برند. پارامترهای مهم دیود توان عبارتد از ولتاژ معکوس قله، حداکثر جریان مستقیم و نسبت مقاومت. ولتاژ معکوس قله احتمالاً دست در گستره V50 تا V1000 است با حداکثر جریان مستقیم که شاید A30 است. مقاومت مستقیم باید تا حد امکان پایین باشد تا از افت چشمگیری در ولتاژ دو سر دیود وقتی که جریان مستقیم زیادی جریان دارد جلوگیری می کند؛ معمولاً این مقاومت خیلی بیشتر از یک یا دو اهم نیست.
3. دیودهای زنر
جریان معکوس بزرگی که در هنکام در گذشتن ولتاژ دو سر دیود از ولتاژ شکست دیود، جاری می شود لزوماً نباید باعث آسیب رساندن به وسیله شود.
دیود زنر چنان ساخته شده است که به آن امکان می دهد در بدون خراب شدن، در ناحیه شکست کار کند، به شرط آن که جریان از طریق مقاومت خارجی به یک مقدار مجاز محدود شود. جریان زیاد در ولتاژ شکست یا دو عامل، به نام اثر زنر و اثر بهمنی، فراهم می آید در ولتاژهایی تا حدود V5 میدان الکتریکی نزدیک به پیوند چندان شدید است که می تواند الکترونها را از پیوند کوالانسی که اتم ها را کنار هم نگاه می دارد بیرون بکشد. زوجهای حفره- الکترونهای اضافی تولید می شوند و این زوج ها برای افزودن جریان معکوس در دسترسند. این اثر ر ا اثر زنر می نامند.
اثر بهمنی وقتی پیش می آید که ولتاژ پیش ولت مخالف بیش از V5 یا در همین حدود باشد. سرعت حرکت حاملین بار از میان شبکه بلور چندان افزایش می یابد که این بارها به اندازه کافی دارای
طرح کارآفرینی طرح توجیهی تولید سنگهای قیمتی و نیمه قیمتی فیروزه تراشی 15 ص
لینک دانلود و خرید پایین توضیحات
فرمت فایل word و قابل ویرایش و پرینت
تعداد صفحات: 15
بسمه تعالی
طرح توجیهی تولید سنگهای
قیمتی و نیمه قیمتی
فیروزه تراشی
مقدمه:
گردش نقدینگی سنگ های قیمتی و نیمه قیمتی در جهان سالانه بالغ بر 600 میلیارد دلار می باشد و در این میان بخش عمده ای از آن سهم اشغالگر قدس است.
اسرائیل علیرغم وسعت کم و نداشتن منابع سنگ های قیمتی با ارزش از نظر تجارت جهانی نقش عمده ای را ایفا می نماید و این امر صرفاً با فعالیت این کشور بر روی فرآوری سنگ های قیمتی و نیمه قیمتی محقق گشته است.
فرآوری صحیح و به روش های مکانیزه و جدید بر روی اینگونه سنگ های باعث ارزش افزوده بسیاری می گردد و علاوه بر آن می تواند نقش اساسی در ایجاد اشتغال نیز ایفا نماید.
نرخ سرمایه گذاری سرانه اشتغال در این بخش بسیار کمتر از بخش های دیگر صنعتی و حدود 20 تا 25 درصد آنها می باشد و از سوی دیگر در فضای برای ایجاد اشتغال 4 تا 5 متر مربع برای هر نفر می باشد.
همه ساله مقادیر متنابهی ارز جهت خرید سنگهای قیمتی و نیمه قیمتی به صورت تراش خورده از کشور خارج می گردد و سنگ های مذکور از طرق مختلف که اغلب قانونی نیستند وارد کشور می شوند.
کشور ایران از دیرباز در امر سنگ های قیمتی و نیمه قیمتی فعال بوده و بخصوص در تراش اینگونه سنگها فعالیت نموده است لیکن به مرور زمان نقش این بخش در اقتصاد کمرنگ شده بگونه ایکه در حال حاضر نقش ناچیزی را دارا می باشد.
تنها تراش متداول در کشور در حال حاضر تراش معمولی معروف به دامله (Cabochon) است که آنهم نه تنها ارزش افزوده زیادی را به دنبال ندارد بلکه در نابسامانی شدید بسر می برد و تنها گاهاً افرادی در تراش صفحه ای Faceted فعال می شوند. که آنهم در سطح کشور انگشت شمار بوده و اغلب تولیدات آنها دارای اشکالاتی می باشد. که از ارزش اقتصادی آن می کاهد و از نظر حجم نیز بسیار محدود است لذا پروژه اخیر با انگیزه ایجاد یک واحد تراش سنگهای قیمتی و نیمه قیمتی به روشهای روز و پیشرفته دنیا به عنوان نمونه پیشنهاد گردیده است. امید است با همکاریهای مسئولین و ایجاد این واحد راهی گشوده شود که در آینده بتواند نقش اساسی سنگهای قیمتی و نیمه قیمتی را در اقتصاد، اشتغال، تولید ناخالص ملی و ... نشان دهد.
موضوع فعالیت طرح: تراش فیروزه
مدیر عامل طرح:
محل فعالیت: مشهد
اشتغال طرح: 8 نفر
کل سرمایه گذاری طرح: 950/123/1 هزار ریال
سرمایه ثابت: 000/377 هزار ریال
سرمایه در گردش: 950/746 هزار ریال
تسهیلات پیشنهادی: 000/500 هزار ریال
نقطه سر به سر: 4 %
دوره برگشت سرمایه: 3 ماه
سرمایه گذاری طرح
الف) سرمایه ثابت طرح
ماشین آلات (ارقام به هزار ریال)
ردیف
شرح
تعداد
واحد
هزینه واحد
هزینه کل
1-
الکتروموتور 3000 دور با کلیه لوازم جانبی
2
دستگاه
000/1
000/2
2-
الکتروموتور 1500 دور با کلیه لوازم جانبی
10
دستگاه
000/1
000/10
3-
کامپیوتر با کلیه لوازم جانبی
2
دستگاه
000/10
000/20
جمع
000/32
2- لوازم اداری و ایمنی (ارقام به هزار ریال)
ردیف
شرح
هزار
1
لوازم اداری شامل کمد، فایل، میز، صندلی و غیره
000/15
جمع
000/15