طرح کسب و کار مصنوعات مفتولی (بروز شده)

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 14

الف 3– درخواست کننده تسهیلات اعتباری

الف 3-1-مشخصات درخواست کننده

ردیف

نام و نام خانوادگی

تاریخ تولد

محل تولد

شماره شناسنامه

سمت سهامداران در شرکتها و موسسات

آخرین مدرک تحصیلی

شماره تلفن تماس یا ادرس قابل دسترسی

شماره

محل صدور

عنوان مدرک

نام موسسه

1

الف 3-2- سوابق و تجارب درخواست کننده

درخواست کننده که قبلاً پیمانکار ساختمان بوده و مصرف کننده مفتول mm‌5/2- mm5/1 (سیم آماتوربندی و قالب بندی) و توزیع کننده محصول فوق و از نزدیک با نحوه مواد اولیه، تولید و بازاریابی و توزیع آن آشنایی داشته است.

الف 3-3 – وضعیت ایثارگری متقاضی 1 (اشخاص حقیقی – کلیه سهامداران و مدیران شرکتها)

ردیف

نام و نام خانوادگی

نوع ایثارگری

نسبت با ایثارگر

محل وقوع

تاریخ وقوع

نام استان

نام شهرستان

نام جبهه

در/از تاریخ 2

تا تاریخ

مدت (ماه)

منظور از ایثارگری عبارتست از : رزمندگان داوطلب که حداقل مدت شش ماه متوالی یا یک سال متناوب (غیر از دوران سربازی) در جبهه‌ها بوده اند : 2- جانبازان 3- آزادگان4-خانواده معظم شهدا ، مفقودین ، اسرا (فرزند، همسر ، پدر یا مادر)

در مورد جانبازان و شهدا در تاریخ به منزله تاریخ وقوع شهادت یا نقص عضو می باشد

این قسمت مربوط به اشخاص حقوقی (شرکتها ) می باشد و توسط اشخاص حقیقی تکمیل نمی گردد

الف 3-4 اشخاص حقوقی

نام و نوع شرکت

تاریخ و شماره محل ثبت

سرمایه پرداخت شده

موضوع شرکت

تعداد ، نوع و مبلغ اسمی سهام شرکت

اسامی دارندگان حق امضاء

نشانی مرکز شرکت و شماره تلفن (در صورت اجاره،مبلغ اجاره بها نیز ذکر گردد )

اسامی سهامداران یا شرکاء مبلغ به هزار ریال

ردیف

نام و نام خانوداگی

درصد سهام

مبلغ

ردیف

نام و نام خانوداگی

درصد سهام

مبلغ

جمع

جمع

ب- توجیه فنی طرح

صنایع مفتولی تولید کننده انواع مفتولها در سایزهای مختلف مخصوصاً مفتولهای mm‌5/2-‌mm‌5/1 (سیم های آماتوربندی و قالب بندی) و انواع مفتولهای دیگر بصورت سرد و آنیل شده (حرارت داده شده) و پیش نیاز انواع فعالیت های تولیدی مانند صنایع پیچ و مهره، میخ‌سازی و کابل سازی توری پرسی، سیم خاردار، توری حصاری و صنایع مختلف می باشد.

در این واحد در مرحله اول تولید انواع مفتولهای mm 3 –mm‌5/1بصورت سرد و حرارت داده شده و تولید انواع توری پرسی در سایزهای مختلف پیش بینی شده است.

روش ساخت بدین شکل می باشد که ابتدا مفتول در سایزهایmm 8 -mm 5/6 بوسیله دستگاه های کشش اولیه به مفتولهای mm 4 تبدیل می گردند و سپس مفتول به ترتیب در دستگاه های کشش ثانویه از سایز mm 4 به سایزهای mm‌5/1 نرم در کارهای آماتوربندی mm‌5/2 در کارهای قالب بندی ساختمان و mm‌3 در کارهای بسته بندی عدل های کارخانجات پنبه و همچنین در تولید انواع توری پرسی و غیره تبدیل می گردد. مفتول هایی که در صنایع ساختمانی و بصورت سیم های آماتور بندی و قالب بندی و همچنین بندیل عدل‌های پنبه مورد استفاده قرار می گیرد. بعد از تبدیل شدن به سایز موردنظر در کوره آنیل پخت می گردند تا مقداری از کربن آن گرفته و خاصیت نرم پیدا کنند و مفتولهای صنعتی مانند مفتولهایی که در تولید توری پرسی مورد استفاده قرار می گیرد نیاز به پخت و نرم شدن ندارند.

نحوه تولید توری پرسی بدین شکل می باشد که محصول تولیدی بدون پخت دستگاه های کشش در سایزهای مختلف بوسیله دستگاه نورد دسته زن اتوماتیک شکل داده و در اندازه های مختلف برش خورده می شوند. سپس مفتولهای شکل داده شده بصورت تاروپود بر روی میز کار مخصوص توسط کارگر بافته می گردد.

در صنایع مفتولی به جز مواد اولیه مفتول 8-5/6 از نسخه های کناربرش خورده صنایع تولید پروفیل نیز استفاده می گردد که در این صورت از دستگاه های نورد (حداقل 2 دستگاه) استفاده می گردد. ابتدا تسمه را نورد و کمی به آن شکل می دهند. سپس محصول به کوره

دانلود تحقیق درباره امام خمینی احیاء کننده حکومت دینی و حاکمیت ولایی (معارف اسلامی)

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 2

امام خمینی احیاء کننده حکومت دینی و حاکمیت ولایی

سیدسعید حسینی1 ـ مهدی هاشمی2

(1 و 2 اعضای هیات علمی دانشگاه پیام نور مرکز الیگودرز)

چکیده:

در نظام و حکومت دینی ، اداره امور و رسیدگی به مسایل جامعه ، مطابق دستورات و قوانین دین انجام می گیرد و ایمان و اخلاق در تمامی شقوق و شوون زندگی فردی و اجتماعی مردم ،توسعه و تعمیق می یابد.

در نظام سیاسی اسلام ،اگرچه حکومت در درجه اول مختص ذات پروردگار است اما اشخاص برگزیده با اذن خداوند می توانند حکومت را برعهده بگیرند بدین ترتیب ،پیامبران در عصر خود حاکمان برگزیده خداوند تبارک و تعالی بودند و در دوران پس از نبوت ،ائمه معصومین علیهم السلام حق حاکمیت داشتند و در عصر غیبت ، مجتهدان عادل و واجد شرایط به نیابت از ایشان حق حاکمیت می یابند در واقع این اصل عقیدتی برگرفته از آیات قرآن ، زیرساخت اندیشه مترقی حضرت امام(ره) در باب حکومت دینی را شکل می دهد، مبانی فکری و اعتقادی که امام (ره) در تمامی لحظات عمر بابرکت خویش بر آن تاکید داشتند و هوشمندانه از آن دفاع نمودند.

حضرت امام خمینی (ره) از جمله اندیشمندان دین دار و دین مدار و علمای دینی روشنفکری است که با همه وجود برای تشکیل حکومت دینی کوشید و با بدعت ها و کج اندیشی ها مبارزه کرد.طبق دیدگاه حضرت امام، در اسلام ،نه تنها حکومت وجود دارد بلکه اسلام چیزی جز حکومت نیست و احکام شرعی نیز قوانینی هستند که از جمله شوون حکومت بشمار می روند.

خاستگاه حکومت دینی مشروعیت است و مشروعیت حکومت اسلامی در مرحله عینی مستلزم رای و پذیرش مردم است و به تعبیر امام (ره) همه باید تابع آرای ملت باشند.

از دیدگاه امام خمینی (ره) حکومت دینی بطور کلی ،سه هدف و آرمان اصیل و واقعی را پی می گیرد که عبارتند از: عدالت اجتماعی ، آزادی و وحدت.

کلمات کلیدی:

حکومت ، حکومت دینی ، حکومت اسلامی ، ولایت فقیه ، مشروعیت ، رهبری ، عدالت اجتماعی ، آزادی ، وحدت

تحقیق درباره ی طراحی و ساخت جبران کننده ایستای توان راکتیو منبع

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 17

طراحی و ساخت جبران کننده ایستای توان راکتیو منبع

ولتاژی برای جبران بار

محمد مهدی منصوری

صندوق پستی:3173-89195

کلمات کلیدی: جبران کننده ایستای توان راکتیو، SVC ، STATCOM، اینورتر چند سطحی.

چکیده

هدف، طراحی و ساخت یک جبران کننده ایستای توان راکتیو از نوع منبع ولتاژی و بصورت چند سطحی بوده‌است، یک اینورتر سه سطحی از نوع اینورترهای متوالی با توان نامی +3KVAR طراحی و ساخته شده‌است، و یک روش کنترلی بر اساس کنترل اختلاف فاز با استفاده از مدولاسیون برنامه‌ریزی و بهینه شده اجرا شده‌است.

مدارات پروژه شامل برد راه‌انداز کلیدهای الکترونیک قدرت، بردهای اندازه‌گیری ولتاژ و جریانهای فیدبک، برد پردازشگر اصلی، برد حفاظت از خازنها بوده‌است.

1-    مقدمه

از پیشرفته‌ترین کنترل کننده‌های توان راکتیو که در دو دهة اخیر به مدد پیشرفت ساخت ادوات نیمه‌هادیهای قدرت با توان بالا ارائه شده‌اند جبران کننده‌های ایستای توان راکتیو ( SVC ) می‌باشند. این جبران کننده‌ها در مقایسه با جبران کننده‌های دیگر مزایایی مانند قابلیت انعطاف بیشتر و سرعت پاسخ بالاتر دارند، یکی از آخرین انواع SVC نوع اینورتری آن معروف به STATCOM می‌باشد که نسبت به انواع قبلی مزایایی مانند استفاده از حداقل عناصر ذخیره کننده انرژی، فضای کمتر مورد نیاز و سرعت پاسخ بالاتر دارد، در این جبران کننده‌ها از مبدلهای DC/AC استفاده می‌شود که در حالت کلی می‌توانند چند سطحی باشند. اینورترهای چند سطحی نسبت به اینورترهای متداول قابلیت کار در توانها و ولتاژهای بالاتری دارند و همچنین در فرکانس کلیدزنی مشابه میزات آلودگی کمتری به لحاظ هارمونیکی ایجاد می‌کنند.

از آنجا که برای نمونه آزمایشگاهی طراحی، ساخت و تست یک سیستم تک فاز راحتتر است، جبران کننده مورد نظر بصورت تکفاز در نظر گرفته شد ولی در طراحی همواره سعی شد تا ملاحظاتی در نظر گرفته شود که سیستم قابل گسترش به سه‌فاز هم باشد و یا اینکه بتوان برای هر فاز یک جبران کننده مستقل در نظر گرفت.طراحی براساس دو اینورتر متوالی انجام شده که یک اینورتر پنج سطحی تکفاز را تشکیل می‌دهد.

در طراحی سعی شده که همه متغیرهای لازم بصورت نرم‌افزاری وجود داشته باشند تا انواع روشهای مدولاسیون و کنترل قابل پیاده سازی باشند و در انتها دو روش مدولاسیون و کنترل اجرا شده‌است.

2- تقسیم بندی

یک جبرانساز ایستای سنکرون با کنترل میکروپروسسوری را می‌توان بصورت شکل 1) تقسیم بندی نمود. هدف از تقسیم بندی مستقل سازی وظایف هر یک از بخشها و ریز کردن پروژه به بخشهای کوچکتر است. در اینجا به توصیف مختصری از شرح وظایف هر یک از این بخشها می‌پردازیم.

شکل1) بلوک دیاگرام جبران کننده طراحی شده

2-1- حفاظت ورودی

وظیفه این بخش حفاظت کل سیستم شامل جبران کننده و بار در مقابل خطاهای اضافه ولتاژ یا اضافه جریان است. از آنجا که این سیستم در حال تست بوده و به دفعات زیاد آزمایش می‌شود در مقابل وقوع خطا مستعد بوده و حفاظت در مقابل انواع خطاها از جمله اضافه ولتاژ و اضافه جریان بعلت خطاهای سیستم و ناپایداری آن لازم به نظر می‌رسد. این قسمت شامل چهار نوع حفاظت زیر می‌باشد.

-          حفاظت اضافه جریان کم و بلند مدت

-          حفاظت اضافه جریان زیاد و لحظه‌ای

-          حفاظت اضافه ولتاژ کم و بلند مدت

-          حفاظت اضافه ولتاژ زیاد و لحظه‌ای

2-2- فیلتر ورودی

وظیفه این بخش فیلترکردن جریان کل سیستم شامل جبران کننده و بار است تادرحد ممکن درشبکه برق شهری هارمونیکهای کمتری تزریق گردد، وجود این بخش از آن جهت لازم به نظر می‌رسید که بدلیل موقعیتهای مختلف و زیاد در تست، تأثیر کارکرد سیستم بر شبکه بخصوص مصرف کننده‌های نزدیک را کاهش دهیم، این بخش از یک فیلتر LC تشکیل شده است.

شکل 2) فیلتر ورودی

2-3- بخش ترانسهای جریان و ولتاژ

این بخش از دو عدد ترانسفورماتور جریان و ولتاژ تشکیل شده است تا از جریان و ولتاژ مجموعه بار و جبران کننده اندازه گیری نمایند. ترانسفورماتور ولتاژ جهت تهیه سیگنالی متناسب و ایزوله از ولتاژ ورودی استفاده می‌شود، نسبت تغییرات ولتاژ صفر تا 250 ولت اولیه به صفر تا 10 ولت ثانویه می‌باشد.

ترانسفورماتور جریان جهت تهیه سیگنالی متناسب و ایزوله از مجموع جریان بار و جبران کننده استفاده می‌شود. نسبت تغییرات صفر تا 100 آمپرجریان اولیه به تغییرات صفر تا 250 میلی آمپر ثانویه است. این ترانسفورماتور در حالتهای خطا و گذرا نباید به اشباع یا ناحیه غیر خطی نزدیک گردد و به این منظور دامنه کارکرد آن بزرگتر در نظر گرفته شده‌است.

2-4- بخش اتصال بار

این بخش جهت اتصال بار امکاناتی را فراهم می‌نماید و بطور ساده می‌تواند فقط شامل ترمینالهایی باشد، این بخش به این علت در نظر گرفته شده است تا موقعیت اتصال بار به سیستم مشخص باشد. در این بخش امکانات دیگری نظیر کلید، فیوز و محافظتهای دیگر می‌توان در نظر گرفت.

2-5- بخش راکتانس

این بخش شامل یک سلف است که راکتانس اصلی جبران کننده ایستای توان راکتیو به منظور فیلتر سازی ولتاژ خروجی اینورتر می‌باشد. مقدار سلف از رابطه اصلی جبران کننده توان راکتیو و مشخصات مورد نیاز بدست آمده است و به صورت زیر طراحی شده است:

(1)

که α زاویه آتش پالسهای اینورتر است ،اگر Vs برابر 220 ولت باشد و توان راکتیو +3KVAR تا –3KVAR بخواهیم داشته باشیم آنگاه :

(2) L=10mH

(3)                                         IMAX=14A

2-6- کلیدهای اصلی

این بخش شامل کلیدهای اصلی اینورتر از نوع IGBT می‌باشد که به صورت آرایش تمام پل و تک فاز بسته شده‌اند. همچنین مدارهای اسنابری، دیودهای موازی- معکوس، خازنهای طرف DC در این بخش هستند.

آرایش این بخش بصورت دو اینورتر متوالی تک فاز تمام پل است که یک اینورتر تک فاز پنج سطحی را تشکیل می‌دهند. کلیدها از نوع IGBT همراه با دیودهای موازی- معکوس هستند که با توجه به نیازهای طراحی و المان بصرفه موجود در بازار ایران، المان SKM75GD123 از محصولات شرکت SEMIKRON انتخاب شده است.

مدار اسنابر : با توجه به پیشنهاد سازندة کلیدها و اینکه از نوع IGBT هستند، یک مدار اسنابر خازنی ساده برای کلیدها کفایت می‌کند، که با توجه به این پیشنهاد از خازنهای از نوع MKP با سلف بسیار کم در نزدیکترین نقطه به کلیدها با اندازه 100nF تا 200nF استفاده شده است.

مدار محافظت اتصال کوتاه: این بخش شامل یک فیوز و یک مدار تشخیص اضافه جریان است که در صورت عبور جریان بیش از حد از خازن با اصال کوتاه نمودن مدار باعث سوختن فیوز می‌شود.

محافظت در لحظه راه‌اندازی: چنانچه اینورتر را بصورت شکل 3) در نظر بگیریم در لحظه‌ای که ولتاژ خازن پائین بوده و مدار به برق شهر متصل می‌گردد مسیری از طریق دیودهای موازی- معکوس برای شارژ اولیه خازن وجود دارد که جریان این شارژ اولیه می‌تواند تا چندین برابر جریان نامی کلیدها و دیودها باشد و حتی به خازنها نیز صدمه بزند ، برای جلوگیری از این موضوع همواره مقاومتی با این

تحقیق درباره ی طراحی تقویت کننده ترانزیستوری RF

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 69

فصل9 طراحی تقویت کننده ترانزیستوری RF

طراحی تقویت کننده در RF بطور چشمگیری با روشهای مداری فرکانس پایین مرسوم فرق دارد و در نتیجه به بررسی و ملاحظه ویژه ای نیاز دارد . علی الخصوص این واقعیت که موجهای ولتاژ و جریان روی عنصر فعال تاثیر می گذارد ، تطبیق مناسبی جهت کاهش VSWRو جلوگیری از نوسانات (تغییرات ) نامطلوب را ایجاب می نماید . به این دلیل معمولاً اولین قدم برای طراحی این پروسه یک تحلیل پایداری می باشد که به همراه دوایر عدد نویز و بهره جزء اساسی مورد نیاز برای بهبود مدارهای تقویت کننده ای است که اغلب با مقادیر بهره ، بهره هموار ، توان خروجی ، پهنای باند و شرایط با یاس مواجه می شود .

این فصل براساس مطالب گفته شده در فصلهای 2 و3 توسعه یافته است بطوریکه روابط توان خطوط انتقال خروجی برسی شده است .

بر هر حال بر خلاف مدار پسیو ، فصل 9 به ادوات اکتیو می پردازد بطوریکه به نظر می آید بررسی دقیق بهره و فیدبک دارای اهمیت اصلی باشد .

مواردی از قبیل بهره توان یک طرفه و دو طرفه مدار و نمایش گرافیکی آنها در نمودار اسمیت ، نقطه شروعی برای آنالیز گسترده عملکرد تقویت کننده ترانزیستوری فرکانس بالا می باشد .

خواننده باید به انعطاف پذیری نمودار اسمیت توجه کنید . که دایره بهره ثابت ، VSWRو پایداری میتوانند براساس ضرایب انعکاس و امپدانس بحث شده در فصل 3 روی آن قرار بگیرد .

بعلاوه حتی آنالیز یک نویز هم با تبدیل عدد نویز یک تقویت کننده به دوایری که در نمودار اسمیت نشان داده می شود؛ قابل برسی است.

بعد از توجه به ابزار اساسی طراحی ، همچنین فصل 9 مدلهای مختلفی از تقویت کننده های توان و مشخصه های آنها از قبیل بهره هموار ؛ پهنای باند و اعوجاج درونی را به خوبی اختلافات بین تقویت کننده های یک و چند طبقه بررسی می کند .

1.9 مشخصه های تقویت کننده ها

شاید مهمترین و پیچیده ترین عمل در تئوری مدار آنالوگ ، تقویت یک سیگنال ورودی از میان یک مدار ترانزیستوری یک یا چند طبقه است . یک نمای کلی تقویت کننده یک یا چند طبقه که بین شبکه های تطبیق ورودی و خروجی قرار گرفته شده در شکل 9-1 نشان داده شده است .

شکل (9-1) سیستم کلی تقویت کننده

شبکه های تطبیق ورودی و خروجی که در فصل 8 بحث شده اند نیازمند کاهش انعکاسهای نامطلوب بودند و در نتیجه نیاز به بهبود انتشار توان داشتند .

در شکل 9-1 تقویت کننده توسط ماتریس S خودش در یک نقطه با یاس DC ویژه رسم شده است. بر حسب عملکرد ویژه ، لیست زیر از یک سری پارامترهای کلیدی تقویت کننده تشکیل شده است.

بهره و اندازه بهره (برحسب dB )

فرکانس کاری و عرض باند (برحسب Hz)

توان خروجی (برحسب dBm)

شرایط انعکاس ورودی و خروجی (VSWR)

عدد نویز (برحسب dB)

بعلاوه باید اینطور در نظر گرفته شود که چنین پارامترهایی بعنوان اعوجاج درونی؛ تولید هارمونیک ، فیدبک و اثرات گرمایی می کند که همه آنها می تواند در عملکرد تقویت کننده تاثیر بگذارد .

برای طراحی پروسه تقویت کننده به صورت سازمان یافته ، ابتدا نیاز به چند تعریف برای روابط مختلف توان داریم . این کار توسط چندین ابزار انالیزی مهم که نیازمند تعاریفی برای پایداری ، نویز؛ بهره و عملکرد VSWR هستند انجام می گیرد .

وجه مشترک همه چهار مورد بالا این است که آنها می توانند توسط معادلات دایره بیان شوند و در نمودار اسمیت به نمایش در آیند .

2ـ9 روابط توان تقویت کننده

9-2-1 منبع RF

چندین تعریف برای بهره توان وجود دارد که همه آنها برای درک چگونگی عملکرد تقویت کننده RF ، بحرانی هستند بدین دلیل به ما اجازه دهید تا شکل (9-1) را براساس روابط ناشی از توان بررسی کنیم .

با فرض اینکه دو شبکه تطمیق در امپدانس منبع و بار وجود دارد . سیستم به صورت شکل (9-2-a) خلاصه می شود . نقطه شروع برای آنالیز توان ، منبع RF متصل به شبکه تقویت کننده است .

برای قرار داد نشان داده شده در شکل (2ـ9) بحث مطرح شده سیگنال در بخش 5.4.4 را (82.4 و 83.4 را ببنید) باز خوانی می کنیم و برای ولتاژ منبع می نویسیم :

(1ـ9)

a) شماتیک مختصر شده یک تقویت کننده یک طبقه b ) گراف جریان سیگنال

شکل (2ـ9) منبع و بار متصل به یک شبکه تقویت کننده یک طبقه

موج توان تابشی در رابطه با توسط :

(2ـ9)

داده شده است که توان تابشی بسوی تقویت کننده است .

توان ورودی واقعی Pin دیده شده در ترمینال ورودی تقویت کننده از امواج توان تابشی و انعکاسی تشکیل شده است ، که با کمک ضریب انعکاس ورودی می توانیم بنویسیم :

(3ـ9)

حداکثر انتقال توان از منبع به تقویت کننده زمانی حاصل می گردد که امپدانس ورودی بصورت مزدوج مختلط تطبیق شده باشند . یا برحسب ضریب انعکاسی ، باشد .

تحت شرایط ماکزیمم انتقال توان ما توان قابل دسترسی PA را تعریف می کنیم :

(4ـ9)

این عبارت وابستگی به را روشن می سازد . اگر Fin و از (2ـ9) و (4 ـ 9) دیده می شود که

2-2-9 بهره توان انتقالی

اکنون می توانیم بهره توان انتقالی را بررسی کنیم که بهره تقویت کننده ای که بین منبع و بار قرار دارد را تعیین می کند .

= توان تحویلی به بار =

توان قابل دسترسی از منبع

یا با بدست می آوریم :

(5 .9)

در این عبارت باید نسبت ، تعیین گردد . با کمک مطالب بحث شده در بخش d .4 .4 و بر اساس شکل (2ـ9) بدست می آوریم :

تحقیق درباره ی طراحی تقویت کننده ترانزیستوری RF 37 ص

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 69

فصل9 طراحی تقویت کننده ترانزیستوری RF

طراحی تقویت کننده در RF بطور چشمگیری با روشهای مداری فرکانس پایین مرسوم فرق دارد و در نتیجه به بررسی و ملاحظه ویژه ای نیاز دارد . علی الخصوص این واقعیت که موجهای ولتاژ و جریان روی عنصر فعال تاثیر می گذارد ، تطبیق مناسبی جهت کاهش VSWRو جلوگیری از نوسانات (تغییرات ) نامطلوب را ایجاب می نماید . به این دلیل معمولاً اولین قدم برای طراحی این پروسه یک تحلیل پایداری می باشد که به همراه دوایر عدد نویز و بهره جزء اساسی مورد نیاز برای بهبود مدارهای تقویت کننده ای است که اغلب با مقادیر بهره ، بهره هموار ، توان خروجی ، پهنای باند و شرایط با یاس مواجه می شود .

این فصل براساس مطالب گفته شده در فصلهای 2 و3 توسعه یافته است بطوریکه روابط توان خطوط انتقال خروجی برسی شده است .

بر هر حال بر خلاف مدار پسیو ، فصل 9 به ادوات اکتیو می پردازد بطوریکه به نظر می آید بررسی دقیق بهره و فیدبک دارای اهمیت اصلی باشد .

مواردی از قبیل بهره توان یک طرفه و دو طرفه مدار و نمایش گرافیکی آنها در نمودار اسمیت ، نقطه شروعی برای آنالیز گسترده عملکرد تقویت کننده ترانزیستوری فرکانس بالا می باشد .

خواننده باید به انعطاف پذیری نمودار اسمیت توجه کنید . که دایره بهره ثابت ، VSWRو پایداری میتوانند براساس ضرایب انعکاس و امپدانس بحث شده در فصل 3 روی آن قرار بگیرد .

بعلاوه حتی آنالیز یک نویز هم با تبدیل عدد نویز یک تقویت کننده به دوایری که در نمودار اسمیت نشان داده می شود؛ قابل برسی است.

بعد از توجه به ابزار اساسی طراحی ، همچنین فصل 9 مدلهای مختلفی از تقویت کننده های توان و مشخصه های آنها از قبیل بهره هموار ؛ پهنای باند و اعوجاج درونی را به خوبی اختلافات بین تقویت کننده های یک و چند طبقه بررسی می کند .

1.9 مشخصه های تقویت کننده ها

شاید مهمترین و پیچیده ترین عمل در تئوری مدار آنالوگ ، تقویت یک سیگنال ورودی از میان یک مدار ترانزیستوری یک یا چند طبقه است . یک نمای کلی تقویت کننده یک یا چند طبقه که بین شبکه های تطبیق ورودی و خروجی قرار گرفته شده در شکل 9-1 نشان داده شده است .

شکل (9-1) سیستم کلی تقویت کننده

شبکه های تطبیق ورودی و خروجی که در فصل 8 بحث شده اند نیازمند کاهش انعکاسهای نامطلوب بودند و در نتیجه نیاز به بهبود انتشار توان داشتند .

در شکل 9-1 تقویت کننده توسط ماتریس S خودش در یک نقطه با یاس DC ویژه رسم شده است. بر حسب عملکرد ویژه ، لیست زیر از یک سری پارامترهای کلیدی تقویت کننده تشکیل شده است.

بهره و اندازه بهره (برحسب dB )

فرکانس کاری و عرض باند (برحسب Hz)

توان خروجی (برحسب dBm)

شرایط انعکاس ورودی و خروجی (VSWR)

عدد نویز (برحسب dB)

بعلاوه باید اینطور در نظر گرفته شود که چنین پارامترهایی بعنوان اعوجاج درونی؛ تولید هارمونیک ، فیدبک و اثرات گرمایی می کند که همه آنها می تواند در عملکرد تقویت کننده تاثیر بگذارد .

برای طراحی پروسه تقویت کننده به صورت سازمان یافته ، ابتدا نیاز به چند تعریف برای روابط مختلف توان داریم . این کار توسط چندین ابزار انالیزی مهم که نیازمند تعاریفی برای پایداری ، نویز؛ بهره و عملکرد VSWR هستند انجام می گیرد .

وجه مشترک همه چهار مورد بالا این است که آنها می توانند توسط معادلات دایره بیان شوند و در نمودار اسمیت به نمایش در آیند .

2ـ9 روابط توان تقویت کننده

9-2-1 منبع RF

چندین تعریف برای بهره توان وجود دارد که همه آنها برای درک چگونگی عملکرد تقویت کننده RF ، بحرانی هستند بدین دلیل به ما اجازه دهید تا شکل (9-1) را براساس روابط ناشی از توان بررسی کنیم .

با فرض اینکه دو شبکه تطمیق در امپدانس منبع و بار وجود دارد . سیستم به صورت شکل (9-2-a) خلاصه می شود . نقطه شروع برای آنالیز توان ، منبع RF متصل به شبکه تقویت کننده است .

برای قرار داد نشان داده شده در شکل (2ـ9) بحث مطرح شده سیگنال در بخش 5.4.4 را (82.4 و 83.4 را ببنید) باز خوانی می کنیم و برای ولتاژ منبع می نویسیم :

(1ـ9)

a) شماتیک مختصر شده یک تقویت کننده یک طبقه b ) گراف جریان سیگنال

شکل (2ـ9) منبع و بار متصل به یک شبکه تقویت کننده یک طبقه

موج توان تابشی در رابطه با توسط :

(2ـ9)

داده شده است که توان تابشی بسوی تقویت کننده است .

توان ورودی واقعی Pin دیده شده در ترمینال ورودی تقویت کننده از امواج توان تابشی و انعکاسی تشکیل شده است ، که با کمک ضریب انعکاس ورودی می توانیم بنویسیم :

(3ـ9)

حداکثر انتقال توان از منبع به تقویت کننده زمانی حاصل می گردد که امپدانس ورودی بصورت مزدوج مختلط تطبیق شده باشند . یا برحسب ضریب انعکاسی ، باشد .

تحت شرایط ماکزیمم انتقال توان ما توان قابل دسترسی PA را تعریف می کنیم :

(4ـ9)

این عبارت وابستگی به را روشن می سازد . اگر Fin و از (2ـ9) و (4 ـ 9) دیده می شود که

2-2-9 بهره توان انتقالی

اکنون می توانیم بهره توان انتقالی را بررسی کنیم که بهره تقویت کننده ای که بین منبع و بار قرار دارد را تعیین می کند .

= توان تحویلی به بار =

توان قابل دسترسی از منبع

یا با بدست می آوریم :

(5 .9)

در این عبارت باید نسبت ، تعیین گردد . با کمک مطالب بحث شده در بخش d .4 .4 و بر اساس شکل (2ـ9) بدست می آوریم :