لینک دانلود و خرید پایین توضیحات
فرمت فایل word و قابل ویرایش و پرینت
تعداد صفحات: 69
فصل اول
تاریخچه و مقدمه
طراحان سیستمهای مخاراتی درگذشته و حال همواره به دنبال دستیابی به تکنیکهای مدولاسیون ودمدولاسیونی هستند که نیازهای مخابراتی و ملاحظاتی مورد نظر آنهارا به بهترین صورت مرتفع سازند. اکثر این تکنیکها سعی در بهینه سازی استفاده از یک یا هر دو پارامتر مخابرات یعنی قدرت و پهنای باند داشته، هدف اصلی آنها کم کردن احتمال خطای بین در ارسال سیگنال از یک محل به محل دیگر، با فرض حضور نویز گوسی سفید جمع شونده میباشد.
با این وجود گاهی نیاز به تکنیکهای مدولاسیونی که نیازهایی غیر از موارد مذکور را برآورده کنند به چشم می خورد. به عنوان مثال علاوه برکانالهای AWGN کانالهای دیگری وجود دارند که از این مدل تبعیت نمی کنند. مثلا یک سیستم مخابرات نظامی که تحت تاثیر تداخل عمدی «اختلال» قرار می گیرد، یا کانال چند مسیره که به خاطر انتشار سیگنال از چند مسیر ایجاد میشود نمونه هایی از این کانالها می باشند، لذا امروزه استفاده از تکنیکهای مدولاسیون با خواصی نظیر مقاومت در برابر اختلال، عملکرد در طیف انرژی پایین، دسترسی چندگانه بدون کنترل خارجی ایجاد کانالهای سری بدون امکان شنود خارجی و … به سرعت ر و به افزایش است. یک روش مدولاسیون و دمدولاسیون که میتواند در اینگونه موارد مناسب باشد تکنیک طیف گسترده میباشد.
60 سال پیش درآگوست 1942 هدی لامار جرج آنیل با ثبت سند سیستم مخابرات مخفی در اداره ثبت اختراعات ایالات متحده دریچه ای به فضای دوردست «سیستم های طیف گسترده» گشودند. تکنیکهای طیف گسترده در ابتدا برای اهداف نظامی ایجاد و مورد استفاده قرار گرفتند. اما با پیشرفت های فراوانی که در عرصه VLSI تکنیکهای پیشرفته پردازش سیگنال و ساخت میکروپروسسورهای سریع و ارزان قیمت صورت گرفت امکان توسعه تجهیزات طیف گسترده برای استفاده های شخصی فراهم شد.
ازمشخصات بارز یک سیستم طیف گسترده میتوان به گسترش طیف سیگنال ارسالی در پهنای باند مستقل و بسیار وسیعتر از باند پیام، حذف گسترش و حصول مجدد طیف توان درگیرنده و بکارگیری یک دنباله شبه تصادفی غیر از دنباله پیام در فرستنده و گیرنده اشاره نمود. دو شرط عمده زیر باعث تمایز سیستم های طیف گسترده باز مدولاسیون های نظیر FM باند وسیع که در آنها نیز از پهنای باند سیگنال پیام استفاده میشود شده است .
د ریک سیتم طیف گسترده پهنا باند ارسالی بسیار بزرگتر پهنای باند سیگنال پیام میباشد.
گسترش طیف توسط دنباله شبه تصافدی دیگری که از سیگنال پیام مستقل و برای گیرنده کاملاً مشخص است، انجام میشود. شکل 1-1 دیاگرام کلی سیستم طیف گسترده را نشان میدهد.
دراین دیاگرام منظور از کد گسترش دهنده یک دنباله باینری شبه تصادفی با نرخ بسیار بالاتر از نرخ سیگنال پیام و لذا طیف فرکانسی وسیعی میباشد. شکل 2-1 نمونه ای از این دنباله را نشان می دهند.
در فصول بعد این بخش ابتدا به معرفی بیشتر سیستم های طیف گسترده پرداخته انواع ، خصوصیت ها و کاربردهای این سیستم ها را بیان می کنیم.
فصل دوم
سیستم های طیف گسترده
استفاده از سیستم های طیف گسترده باعث بهبود کیفیت انتقال اطلاعات در سیستم های مخابراتی میشود. بطور کلی مقدار بهبود کیفیتی را که دراثر استفاده از یک سیستم طیف گسترده بدست میآید بهره پردازش می گوییم. بعبارت دیگر آن را میتوان تفاوت میان عملکرد سیستمی که از طیف گسترده استفاده میکند و عملکرد سیستمی که از این تکنیک استفاده نمی کنند، هنگامی که بقیه شرایط برای دو سیستم یکسان باشد تعریف نمود، بنابراین بهره پردازش پارامتری است که با آن میتوان کیفیت سیستم طیف گسترده را نشان داد. سه رابطه رایج برای بهره پردازش درنظر گرفته شده است.
1- نسبت SNR خروجی به SNR وردی بعد از فیلتر کردن نهایی
(1-2)
لینک دانلود و خرید پایین توضیحات
فرمت فایل word و قابل ویرایش و پرینت
تعداد صفحات: 9
دفتر تالیف
otherweblog&site
جمشیدی دبیر شیمی
قطار شیمی
آموزش شیمی
هوپا
OLC آموزش زبان
دانشنامه رشد جوان
شیمی یایه دو
کامپیوتر
پیش دانشگاهی امیدی
در باره شیمی
شیمی آزاد
شیمی
رقص پروانه ها
خانه شیمی
ریاضی شعر...
آموزش شیمی درایران...
/
/
کلاس شیمی
/
اسپکترومتری جرمی
/
اصول طیف سنجی جرمی (اسپکترومتری جرمی )
یک ذره باردارمتحرک باسرعتی یکنواخت درخلا ء تحت تاثیر یک میدان مغناطیسی نیرویی تحمل می کند که سبب تغییر مسیرش می شود.انحراف ذره ازمسیراولیه بستگی به جرم وبارالکتریکی ذره دارد.اگر سرعت ذره باردارتحت تاثیر یک میدان الکتریکی به اختلاف پتانسیل V تشدید شده باشد انرژی جنبشی ذره دراثراین میدان عبارت است از (1 ) mv2 /2 =V.e
که دراین رابطه e و m و v به ترتیب بار وجرم وسرعت ذره می باشد.طیف نگارجرمی یون هارابرحسب مقادیر m/e ازیکدیگر جدا می کند. در حضور یک میدان مغناطیسی ، یک ذره باردار مسیر منحنی شکلی را خواهد داشت. معادلهای که شعاع این مسیر منحنی شکل را نشان میدهد به صورت زیراست : ( 2) r = mv / eH
که r شعاع انحنای مسیر و H شدت میدان مغناطیسی است. باحذف v ازبین دومعادله فوق٬ معادله اساسی اسپکترومتری های جرم ساده را بدست می دهد. m / e = H2R2 / 2V
این معادله نشان می دهد که شعاع مسیریون٬ می تواند در اثر تغییر H ویا V تغییر نماید. معمولا H را متغیر انتخاب می نمایند.
رفتار و عمل یک یون را در بخش تجزیهگر جرمی یک طیف سنج جرمی توسط این معادله می توان توجیه نمود .
اصول عملیات
دراسپکترومتری جرمی موادی که توسط کروماتوگرافی گاز جداسازی شده اند شناسایی واندازه گیری می گردند .به این صورت که٬ گازهای خارج شده ازستون مویینه ( GC ) یکی یکی مستقیما واردمخزن یونش دستگاه طیف سنج جرمی می شوند . درقسمت هایی از دستگاه چون مخزن یون و جمع کننده و ....بوسیله پمپ ٬ خلاء ایجاد می کنند.وقتی که دستگاه طیف سنج جرمی کار می کند .جریان یکنواختی از بخار مولکول ها از روزنه مولکولی به محفظه یونش وارد می شوند و توسط جریانی از الکترون های پرانرژی بمباران شده وتبدیل به یون های مثبت می گردند. در محفظه یونش الکترون های پرانرژی دارای انرژی معادل 70 میکرون - ولت هستند. و از یک "سیم باریک" که تا چند هزار درجه سلسیوس گرم شده است٬ ساطع میشوند. یک "صفحه دافع" که پتانسیل الکتریکی مثبت کمی دارد، یونهای مثبت را به طرف "صفحات شتاب دهنده" هدایت میکند. مولکول های نمونه که یونیزه نشده اند. بطور مداوم توسط مکندهها یا پمپهای خلا٬ که به محفظه یونش متصل هستند، خارج می شوند. بعضی از این مولکولها از طریق جذب الکترون به یونهای منفی تبدیل میشوند. این یونهای منفی توسط صفحات دافع جذب میگردند.
ممکن است که بخش کوچکی از یونهای تشکیل شده بیش از یک بار داشته باشند، (از دست دادن بیش از یک الکترون) اینها مانند یونهای مثبت تک ظرفیتی ، شتاب داده میشوند.
پرتوی یون های مثبت در یک میدان الکتریکی باقدرت چندین هزار ولت شتاب داده میشوند. درنتیجه این عمل ، پرتویی از یونهای مثبت سریع تولید می شود. این یونها توسط یک یا چند "شکاف متمرکز کننده" یکنواخت ومتمرکز میشوند.اگر ولتاژاین میدان ثابت نگهداشته شود٬ تمام یون هایی که m/e مساوی دارند ٬ باسرعت یکسان وارد یک میدان مغناطیسی می شوند.و بسته به نسبت بار/جرم جدا میگردند.
اگر شدت میدان ( H) رابه میزان ثابتی افزایش ویا کاهش دهند نیروی اعمال شده بوسیله میدان مغناطیسی افزایش ویاکاهش می یابد وپرتوهای جداشده هریک به نوبت ازشکاف عبورنموده وبه صفحه آشکارکننده برخوردمی کنند .
آشکار کننده بخش دیگر دستگاه است .که در اثر برخورد یونها به آن ، هریون مثبت باگرفتن یک الکترون ٬ تولید جریان درمدار می کند . سیگنال تولید شده از آشکار کننده به یک ثبات داده میشود که یونهای دارای نسبت بار/جرم مشخص و معین را٬ شمارش و آشکارمی گرداند.ونموداری از طیف جرمی ، تعداد ذرات آشکار شده بر حسب تابعی از نسبت بار/جرم را رسم می کند . میتوان آن قدر دقیق این جریان را تنظیم نمود. که جریان حاصل از برخورد حتی یک یون به آشکار کننده اندازه گیری شود.
در دستگاههای جدید ، خروجی آشکار کننده به رایانه متصل است. رایانه اطلاعات را به هر دو صورت جدولی و گرافیکی ذخیره می کند. درپایان دادهها با طیف های استاندارد ذخیره شده موجود در رایانه مقایسه میگردد.ومولکول جداسازی شده شناسایی می شود. با کلیک دراینجامی توانیدمراحل فوق الذکر را مشاهده کنید.
+ نوشته شده در چهارشنبه نهم آذر 1384ساعت 17:59 توسط هوشمند | 6 نظر
/
/
/
/
/
حشمت السادات هوشمنددبیر بازنشسته شیمی بهشهر هستم. مدرک کارشناسی شیمی راازدانشگاه فردوسی مشهد درسال 1355 گرفتم بعلت دبیران خوب شیمی که دردوران تحصیل داشتم علاقمند به این رشته شدم بیشتر سال های خدمتم درسال های چهارم وپیش دانشگاهی بوده ، علاوه برتدریس دردبیرستان های دخترانه ، مدرس مرکز تربیت معلم دختران و مدرس دوره های ضمن خدمت فرهنگیان استان مازندران نیز بوده ام .چون می خواستم ارتباط خودرا با همکاران ودانشجویان و دانش آموزان وعلاقمندان به این رشته حفظ کنم شروع به نوشتن وبلاگ نمودم .هدفم این است بازبانی ساده مطالب شیمی را به طور خلاصه ارائه کنم . وامیدوارم که مفید واقع شود .استفاده از مطالب این وبلاگ با ذکر منبع بلامانع است.
لینک دانلود و خرید پایین توضیحات
فرمت فایل word و قابل ویرایش و پرینت
تعداد صفحات: 4
فهرست مطالب
عنوان صفحه
چکیده
فصل اول
مقدمه ای بر لیزر (مبانی لیزر)
مقدمه 2
هدف 3
شباهت و تفوت لیزر نیمه هادی با سایر لیزرها 4
1-1- خواص بار یکه لیزر 5
1-2- انواع لیزر 7
1-3- وارونی انبوهی 9
1-3-1- برهمکنش امواج الکترومغناطیسی با اتم 12
1-3-2- فرایندهای تاثیرگذار بر غلظت اتمها در حالت های مختلف 13
1-3-3- بررسی احتمال گذارها و معادلات تعادلی 14
1-4- پهن شدگی طیفی و انواع آن 15
1-5- انواع کاواک نوری (فیدبک) 19
1-6- برهم نهی امواج الکترومغناطیسی 22
1-6-1- فاکتور کیفیت برای ابزارهای نوری Q 24
1-6-2- انواع تشدیدگرهای نوری و کاربرد آن 25
فصل دوم
لیزر نیمه هادی و انواع ساختار آن
2-1- مواد نیمه هادی 27
2-2- بازده گسیل خودبخودی 30
2-3- انواع بازترکیب 31
2-4- گاف انرژی و انواع آن 33
2-5- وارونی انبوهی و روش پمپاژ در لیزر نیمه هادی 35
2-6- اتصال p- n اولین تحقق لیزر نیمه هادی 37
2-7- انواع ساختارها 39
2-7-1- روشهای گسیل نور در لیزر نیمه هادی 40
2-7-2- لیزر با ساختار تخت 40
2-7-3- مشکلات لیزر پیوندی همجنس 41
2-7-4- لیزرهای پیوندی غیرهمجنس 42
2-7-5- رابطه جریان و خروجی در لیزر تخت 43
2-8- ساختار DFB 44
2-8-1- طیف خروجی از لیزر DFB 45
2-9- تاثیرات دما به طیف گسیلی ساختارها 46
2-10- مختصری راجع به بحث نوری 48
2-11- لیزرهای نیمه هادی و دیودهای نور گسیل 51
2-12- جریان آستانه – خروجی 55
2-13- روشهای بهبود و افزایش بازده کوانتومی داخلی 57
2-14- لزوم اتصالات اهمی 58
فصل سوم
طیف خروجی لیزر نیمه هادی و عوامل مؤثر بر آن
3-1- تغییرات چگالی جریان آستانه و فشار هیدروستاتیکی 61
3-2- واگرایی پرتو خروجی 62
3-3- خروجی ساختارها 63
3-4- محاسبه پهنای طیف در لیزرهای نیمه هادی در ساختارهای مختلف 65
3-5- انواع پهنای طیف 69
3-6- کوک پذیری لیزر نیمه هادی 73
3-7- روابط و معادلات مهم در تولید و بازترکیب حاملها 75
3-8- بهره در حالت پایا و جریان آستانه 79
3-9- اهمیت کاواک لیزر 84
3-10- مدهای تولید شده در داخل کاواک 89
3-11- تفاوت اساسی مدهای طولی و عرضی 92
فصل چهارم
بررسی و تحلیل طیف های خروجی (کارهای تجربی)
پیشنهادات و نتایج
4-1- انواع اتصال دیود و طیف خروجی 97
4-2- تحلیل مشخصه های لیزر نیمه هادی 98
مشخصه ولتاژ- جریان (V- I) 98
مشخصه جریان- مقاومت دینامیکی 101
مشخصه جریان- توان (P- I) 102
مشخصه جریان- راندمان کوانتومی دیفرانسیلی 103
مشخصه توان طول موج 103
نمودارهای تجربی 104
4-3- نتایج 112
پیشنهادات 115
منابع فارسی 116
منابع لاتین 117